住友电气工业株式会社山村拓嗣获国家专利权
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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社申请的专利高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112614783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011038645.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管是由山村拓嗣;西口贤弥;住吉和英设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管。所述制造高电子迁移率晶体管的方法包括以下步骤：以700℃或以上且900℃或以下的第一炉温度，通过低压化学气相沉积法，在由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层的表面上形成第一SiN膜；以700℃或以上且900℃或以下的第二炉温度且炉压力为1Pa或以下，通过炉中的水分和氧气，在第一SiN膜上形成界面氧化层；以700℃或以上且900℃或以下的第三炉温度，通过低压化学气相沉积法，在界面氧化层上形成第二SiN膜。
本发明授权高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种制造高电子迁移率晶体管的方法，包括步骤： 以700℃或以上且900℃或以下的第一炉温度，通过低压化学气相沉积法，在由氮化物半导体组成并且包括阻挡层的半导体叠层的表面上形成第一SiN膜； 以700℃或以上且900℃或以下的第二炉温度且为1Pa或以下的炉压力，通过所述炉中的水分和氧气，在所述第一SiN膜上形成具有1nm或更小的厚度的界面氧化层；以及 以700℃或以上且900℃或以下的第三炉温度，通过所述低压化学气相沉积法，在所述界面氧化层上形成第二SiN膜。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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