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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112435996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011073612.5，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由黄文宏;林仪婷设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。通过将原本在晶片端形成的重布线层或者在基板端形成的重布线层分成两部分，一部分形成在基板端，一部分形成晶片端，即分成两条工作线去做，进而，半导体封装装置可以实现包括但不限于以下技术效果：第一，通过在基板端和芯片端分别形成重布线层，实现了5到7纳米制程的芯片与基板的连接。第二，通过采用重布线层，相对于2.5D和3D封装，降低了制程成本。第三，通过在基板端和芯片端分别形成重布线层，相对于只在基板单端或者只在晶片单端形成重布线层，可以提高整体良率。

本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体封装装置的方法，包括： 提供基板和第一重布线层，其中，所述基板的线宽与线距大于10微米； 将第一重布线层通过粘合层粘合到所述基板； 在所述第一重布线层表面钻孔贯穿所述第一重布线层和所述粘合层并延伸至所述基板，形成通孔； 在所形成的通孔内进行电镀和导通，以使得所述第一重布线层通过至少一个所述通孔电连接所述基板； 提供至少一个芯片和载体，其中，至少一个芯片为5纳米到7纳米制程的芯片； 将所述至少一个芯片粘合于载体上； 塑封以形成第一封装体，其中，所述第一封装体包覆所述至少一个芯片； 移除所述载体后研磨所述第一封装体的上下表面以使得各所述芯片的电连接件露出所述第一封装体，各所述芯片的主动面靠近所述第一封装体的同一表面； 在所述第一封装体的各所述芯片的主动面所在的表面形成第二重布线层，以使得各所述芯片电连接所述第二重布线层，其中，所述第一重布线层和所述第二重布线层的线宽与线距为0.5微米到10微米之间； 将所述第二重布线层贴装至所述第一重布线层，且所述第二重布线层电连接所述第一重布线层； 在所述第二重布线层底部与所述第一重布线层之间填充底部填充胶； 塑封以形成第二封装体，其中，所述第二封装体包覆所述基板、所述粘合层、所述第一重布线层、所述第二重布线层和所述第一封装体。

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