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龙图腾网获悉特利丹E2V半导体简化股份公司申请的专利有源像素口内放射图像传感器及相关的图像捕获方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112653853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011083764.3，技术领域涉及：H04N25/63；该发明授权有源像素口内放射图像传感器及相关的图像捕获方法是由卡罗琳·帕帕克斯;皮埃尔·费雷尔;拉斐尔·内里设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源像素口内放射图像传感器及相关的图像捕获方法在说明书摘要公布了：本发明涉及有源像素口内放射图像传感器及相关的图像捕获方法。开关电路MUX1在检测X射线闪光开始的第一阶段允许连接公共连接节点NC，该公共连接节点NC对应于电流‑电压转换检测电路DTX1的输入处的光电二极管初始化晶体管M1的漏极，当矩阵中的所有光电二极管产生的电流超过预定阈值时，该漏极提供输出信号以检测X射线闪光的开始。通过注入由这些像素的光电二极管产生的，并且在与第一者电隔离的不同公共连接节点上收集的电流，可以使用相同的原理利用矩阵的某些像素检测X射线闪光的结束，闪光信号的结束对应于低于预定阈值的该电流的变化。

本发明授权有源像素口内放射图像传感器及相关的图像捕获方法在权利要求书中公布了：1.一种使用MOS技术的口内放射图像传感器，包括： -以行和列排列的光敏像素的矩阵M-PIX，每个像素Pij包括光电二极管PH和晶体管，其中包括连接在所述像素的光电二极管节点KNi与所述像素共有的第一连接节点NC之间的光电二极管初始化晶体管M1； -排序电路DM，其提供信号以命令所述像素的所述晶体管在暴露于X射线闪光FX期间控制图像捕获序列300，其中包括所述像素的所述光电二极管的整体初始化阶段301、积分时间段期间的电荷积分阶段302以及读取所述像素阶段303； 所述传感器的特征在于，包括由第一逻辑信号PROB1控制的第一耦合开关MUX1，用于将所述第一连接节点NC连接到第一电流检测电路DTX1的信号输入IN-DTX1或连接到光电二极管初始化电压源VRS，从而所述第一逻辑信号分别处于第一逻辑状态或第二逻辑状态；以及 -所述传感器的排序电路DM，其被配置为控制由所述第一电流检测电路DTX1检测暴露于X射线闪光的开始以触发所述图像捕获序列300的阶段200，包括以下操作： -a命令所述光电二极管初始化晶体管M1同时在所有像素中切换到导通状态；以及 -b确认所述第一逻辑信号PROB1处于所述第一逻辑状态，其作用是在所述第一电流检测电路的所述信号输入IN-DTX1处注入在所述第一连接节点NC上收集的源自所述像素的所述光电二极管的电流I；然后 -c当所述第一电流检测电路的输出逻辑信号OUT-DTX1从第一逻辑状态切换到第二逻辑状态时，对应于检测到输入电流电平高于预定阈值，确认所述第一逻辑信号PROB1处于所述第二逻辑状态，其作用是将始终处于导通状态的所述初始化晶体管M1耦合到所述初始化电压源VRS，从而激活所述图像捕获序列的所述整体初始化阶段301，以在所述积分阶段之前初始化所述光电二极管； 其中所述矩阵的像素组E的初始化晶体管不与所述第一连接节点NC连接，而与第二连接节点NCE连接，所述第二连接节点与所述第一连接节点电隔离，所述传感器还包括第二电流检测电路DTX2，其与所述第一电流检测电路的类型相同，并由相同的时钟信号Φctia控制，其输入信号IN-DTX2连接到所述第二连接节点NCE，所述传感器的排序电路DM被配置为在所述检测曝光开始的阶段200： -命令所述矩阵的所有像素的所述初始化晶体管M1切换到导通状态，其中包括耦合到所述第二连接节点的所述组中的像素；以及 -在检测到所述第一电流检测电路DTX1的输出信号OUT-DTX1的切换时： -使所述组中的所述像素的所述初始化晶体管M1保持处于导通状态，至少直到检测到所述第二电流检测电路的所述输出信号OUT-DTX2的切换为止，所述切换对应于在所述输入处注入并且在所述第二连接节点NCE上收集的低于预定阈值的电流；以及 -在检测到所述第二电流检测电路的所述输出信号OUT-DTX2的切换指示检测到暴露于X射线闪光的结束时，停止所述图像捕获序列300的积分阶段以启动所述读取阶段。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人特利丹E2V半导体简化股份公司，其通讯地址为：法国圣埃格雷夫；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。