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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011153446.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及其形成方法是由任烨;胡建强;郑凯;杨芸;汪涵设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成覆盖浮栅材料层、隔离结构和基底的控制栅材料层；图形化控制栅材料层和浮栅材料层，形成位于单元阵列区、第一过渡区和相邻选择栅区的控制栅，剩余浮栅材料层用于作为浮栅，浮栅和控制栅构成栅极结构；在栅极结构侧壁形成隔离侧墙，位于单元阵列区和第一过渡区的相邻栅极结构侧壁的隔离侧墙相接触；在基底、隔离侧墙和栅极结构上形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层暴露出单元阵列区、第一过渡区和相邻的选择栅区；在硅化物阻挡层露出的栅极结构顶部和基底顶面形成金属硅化物层。本发明实施例中第一过渡区的栅极结构和隔离侧墙作为金属层与基底的阻隔层，有利于增大金属硅化物工艺的窗口。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括多个分立的单元阵列区，用于形成存储单元；所述基底还包括沿列向位于所述单元阵列区之间的选择栅区、以及沿列向位于所述单元阵列区和相邻一侧选择栅区之间的第一过渡区； 多条沿列向延伸且沿行向排布的隔离结构，位于所述基底中； 多条沿行向延伸且沿列向排布的栅极结构，位于所述单元阵列区、第一过渡区和相邻选择栅区上，所述栅极结构包括：位于所述隔离结构两侧部分基底上的浮栅，位于每条所述栅极结构中的所述浮栅沿行向间隔排布；控制栅，沿行向覆盖所述浮栅、以及所述浮栅之间的基底和隔离结构； 沿列向的源区，位于所述单元阵列区的相邻浮栅之间的基底中，所述源区沿列向还延伸位于所述第一过渡区和相邻部分选择栅区的基底中； 第一漏区，位于所述单元阵列区、第一过渡区以及相邻部分选择栅区的隔离结构沿行向第二侧的基底中； 隔离侧墙，位于所述栅极结构的侧壁上，在所述单元阵列区和第一过渡区，位于相邻所述栅极结构侧壁上的所述隔离侧墙相接触；所述第一过渡区的基底相应被所述栅极结构和隔离侧墙所覆盖； 硅化物阻挡层，位于所述基底、隔离侧墙和栅极结构上；所述硅化物阻挡层位于单元阵列区的靠近第一过渡区的部分栅极结构上，所述硅化物阻挡层暴露出所述单元阵列区、第一过渡区和相邻的选择栅区； 金属硅化物层，位于所述硅化物阻挡层露出的栅极结构顶部和基底顶面。

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