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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011193113.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法是由宋国祥;王春明;邢精成;X·刘;N·多设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明题为具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法。本发明公开了一种在半导体衬底的上表面的鳍上形成存储器单元、高压器件和逻辑器件的方法，以及由此形成的存储器器件。存储器单元形成在一对鳍上，其中浮栅设置在该对鳍之间，字线栅围绕在该对鳍周围，控制栅设置在该浮栅上方，并且擦除栅设置在该对鳍上方并部分地设置在该浮栅上方。高压器件包括围绕在相应鳍周围的HV栅，并且逻辑器件包括逻辑栅，该逻辑栅为金属并围绕在相应的鳍周围。

本发明授权具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面，所述上表面具有多个鳍，其中所述鳍中的每个鳍向上延伸并包括彼此相反并且终止于顶表面的第一侧表面和第二侧表面； 存储器单元，所述存储器单元形成在所述多个鳍中的第一鳍和第二鳍上，所述存储器单元包括： 第一沟道区，所述第一沟道区沿着所述第一鳍的所述顶表面和所述相反的侧表面在所述第一鳍的源极区与所述第一鳍的第一漏极区之间延伸， 第二沟道区，所述第二沟道区沿着所述第一鳍的所述顶表面和所述相反的侧表面在所述第一鳍的所述第一漏极区与所述第一鳍的第二漏极区之间延伸， 第三沟道区，所述第三沟道区沿着所述第二鳍的所述顶表面和所述相反的侧表面在所述第二鳍的源极区与所述第二鳍的第一漏极区之间延伸， 第四沟道区，所述第四沟道区沿着所述第二鳍的所述顶表面和所述相反的侧表面在所述第二鳍的所述第一漏极区与所述第二鳍的第二漏极区之间延伸， 浮栅，所述浮栅设置在所述第一鳍与所述第二鳍之间，并且沿着所述第一沟道区的第一部分和所述第三沟道区的第一部分延伸， 控制栅，所述控制栅沿着所述浮栅延伸并与所述浮栅绝缘， 擦除栅，所述擦除栅具有与所述浮栅横向相邻的第一部分和设置在所述浮栅上方的第二部分，其中所述擦除栅的所述第一部分沿着所述第一鳍和所述第二鳍的所述顶表面延伸并与所述第一鳍和所述第二鳍的所述顶表面绝缘，并沿着所述第一沟道区的第二部分和所述第三沟道区的第二部分延伸并与所述第一沟道区的第二部分和所述第三沟道区的第二部分绝缘，和 字线栅，所述字线栅沿着所述第二沟道区和所述第四沟道区延伸，其中所述字线栅沿着所述第一鳍和所述第二鳍的所述第一侧表面、所述第二侧表面和所述顶表面延伸并且与所述第一鳍和所述第二鳍的所述第一侧表面、所述第二侧表面和所述顶表面绝缘，以用于控制从所述第一鳍的所述第一漏极区到所述第一鳍的所述第二漏极区的所述第二沟道区的导电性，并用于控制从所述第二鳍的所述第一漏极区到所述第二鳍的所述第二漏极区的所述第四沟道区的导电性， 高压（HV）器件，所述高压器件形成在所述多个鳍中的第三鳍上，所述高压器件包括： HV沟道区，所述HV沟道区沿着所述第三鳍的所述顶表面和所述相反的侧表面在所述第三鳍的HV源极区与所述第三鳍的HV漏极区之间延伸，和 HV栅，所述HV栅沿着所述HV沟道区延伸，其中所述HV栅沿着所述第三鳍的所述第一侧表面、所述第二侧表面和所述顶表面延伸并且与所述第三鳍的所述第一侧表面、所述第二侧表面和所述顶表面绝缘；和 逻辑器件，所述逻辑器件形成在所述多个鳍的第四鳍上，所述逻辑器件包括： 逻辑沟道区，所述逻辑沟道区沿着所述第四鳍的所述顶表面和所述相反的侧表面在所述第四鳍的逻辑源极区与所述第四鳍的逻辑漏极区之间延伸，和 逻辑栅，所述逻辑栅沿着所述逻辑沟道区延伸，其中所述逻辑栅沿所述第四鳍的所述第一侧表面、所述第二侧表面和所述顶表面延伸并且与所述第四鳍的所述第一侧表面、所述第二侧表面和所述顶表面绝缘。

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