三星电子株式会社张起硕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011308644.9，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维半导体存储器件及其制造方法是由张起硕;黄昌善;闵忠基;徐基银;林钟欣设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及三维半导体存储器件及其制造方法。该三维半导体存储器件可以被提供，其包括：在第一基板上的外围电路结构，该外围电路结构包括外围电路；在外围电路结构上的第二基板；在第二基板上的电极结构，该电极结构包括堆叠在第二基板上的多个电极；以及穿透电极结构和第二基板的穿透互连结构。该穿透互连结构可以包括下绝缘图案、在下绝缘图案上的模制图案结构、在下绝缘图案与模制图案结构之间的保护图案、以及穿透插塞。该穿透插塞可以穿透模制图案结构和下绝缘图案，并且可以连接到外围电路结构。该保护图案可以处于比电极中的最下面一个的水平低的水平处。
本发明授权三维半导体存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，包括： 在第一基板上的外围电路结构，所述外围电路结构包括外围电路； 在所述外围电路结构上的第二基板； 在所述第二基板上的电极结构，所述电极结构包括堆叠在所述第二基板上的多个电极；以及 穿透所述电极结构和所述第二基板的穿透互连结构， 其中所述穿透互连结构包括下绝缘图案、在所述下绝缘图案上的模制图案结构、在所述下绝缘图案与所述模制图案结构之间的保护图案、以及穿透插塞， 所述穿透插塞穿透所述模制图案结构和所述下绝缘图案，并连接到所述外围电路结构，以及 所述保护图案在比所述多个电极中的最下面一个的水平低的水平处， 其中所述电极在第一方向上延伸，以及 当在与所述第一方向交叉的第二方向上测量时，所述下绝缘图案的第一宽度大于所述保护图案的第二宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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