台湾积体电路制造股份有限公司林津裕获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利影像感测器结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110052276.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权影像感测器结构及其制造方法是由林津裕;廖耕颍;叶书佑;陈柏仁;董怀仁;陈咸利设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本影像感测器结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种影像感测器结构及其制造方法，该影像感测器结构包括半导体元件、形成于半导体基板中的多个影像感测元件、形成于半导体基板上的内连接结构，及半导体基板上的复合网格结构。复合网格结构包括钨网格、钨网格上方的氧化物网格，及将钨网格与氧化物网格间隔开的粘附增强网格。
本发明授权影像感测器结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种影像感测器结构，其特征在于，包含： 一半导体基板； 多个影像感测元件，形成于该半导体基板中； 一内连接结构，其形成于该半导体基板上；以及 一复合网格结构，于该半导体基板上，其中该复合网格结构包含： 一钨网格，包含多个钨网格线，每一所述多个钨网格线具有一第一厚度，且具有随着距该半导体基板的一距离增加而减少的宽度； 形成于该钨网格上的一氧化物网格，该氧化物网格包含多个氧化物网格线，每一所述多个氧化物网格线具有一第二厚度，且包含一主分段及一渐缩顶部分段，其中该氧化物网格的该第二厚度大于该钨网格的该第一厚度，且该氧化物网格的材质包含氧化硅SiO2或氧化铪HfO2； 一粘附增强网格，夹设于该钨网格与该氧化物网格之间，是由一氮化物材料形成，且包含多个粘附增强网格线，其中每一所述多个粘附增强网线具有一第三厚度，且具有随着距该半导体基板的一距离增加而增加的宽度，其中该粘附增强网格的该第三厚度小于该钨网格的该第一厚度，该粘附增强网格与该钨网格形成一金属氮化物界面，且与该氧化物网格形成一氮化物氧化物界面；及 一阻障网格，设置于该钨网格与该半导体基板之间，且位于该粘附增强网格之下，其中该阻障网格是由一含钛材料形成，该阻障网格的该含钛材料不同于该粘附增强网格的该氮化物材料。
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