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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利使用底部击穿电流路径的雪崩保护晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110069074.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权使用底部击穿电流路径的雪崩保护晶体管及其形成方法是由苏亮宇;蔡宏智;柳瑞兴;雷明达;杨彰台;夏德殷;钟于彰;杨南盈设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用底部击穿电流路径的雪崩保护晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：一种雪崩保护场效晶体管在半导体衬底内包括：主体半导体层及经掺杂主体接触区，具有第一导电类型的掺杂；以及源极区、漏极区，具有第二导电类型的掺杂。隐埋的第一导电类型阱可位于半导体衬底内。隐埋的第一导电类型阱位于漏极区之下，且在平面图中与漏极区具有面积交叠，且在垂直方向上与漏极区间隔开，并且具有比主体半导体层高的第一导电类型的掺杂剂的原子浓度。场效晶体管的配置在雪崩击穿期间诱导超过90％的碰撞电离电荷从源极区流动、穿过隐埋的第一导电类型阱、并撞击在漏极区的底表面上。另提供一种形成半导体结构的方法。

本发明授权使用底部击穿电流路径的雪崩保护晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种场效晶体管，包括： 主体半导体层，位于半导体衬底中且具有第一导电类型的掺杂； 源极区与漏极区，形成在所述半导体衬底的上部部分中，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂，且通过沟道区在侧向上间隔开； 经掺杂主体接触区，形成在所述半导体衬底的所述上部部分中，具有所述第一导电类型的掺杂，且与所述源极区间隔开； 隐埋的第一导电类型阱，位于所述半导体衬底内，位于所述漏极区之下且在平面图中与所述漏极区具有面积交叠，在垂直方向上与所述漏极区间隔开，并且具有比所述主体半导体层高的所述第一导电类型的掺杂剂的原子浓度；以及 源极侧第一导电类型阱，位于所述半导体衬底内，其中所述源极侧第一导电类型阱直接接触所述源极区以提供第一p-n结，所述第一p-n结的外围完全位于所述半导体衬底的顶表面内，且所述源极侧第一导电类型阱沿着从所述半导体衬底的所述顶表面延伸到所述隐埋的第一导电类型阱的顶表面的界面与所述主体半导体层直接接触，且所述源极侧第一导电类型阱具有比所述主体半导体层高的所述第一导电类型的掺杂剂的原子浓度， 其中位于栅极介电质之下的所述沟道区在侧向上延伸穿过所述源极侧第一导电类型阱的上部部分且穿过所述主体半导体层的上部部分。

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