芯恩(青岛)集成电路有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110140864.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法是由季明华;孟昭生;张显设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法，在经前端工艺形成器件层之后，在器件层的栅极和有源区上形成刻蚀停止层，在该刻蚀停止层上形成碳帽层，或者在刻蚀停止层中离子注入碳在刻蚀停止层表层形成富碳层，然后在刻蚀停止层上形成层间介质层。由于刻蚀停止层上方碳帽层或者富碳层的存在，当刻蚀至深度较浅的刻蚀停止层时，会在该刻蚀停止层中形成大量聚合物，该聚合物会保护刻蚀停止层被进一步刻蚀。因此在后续深度较深的接触孔的刻蚀过程中，能够有效保护深度较浅的接触孔不会出现过刻蚀现象，直至深度较深的接触孔刻蚀完成。避免出现过刻蚀现象，同时也能保证深度较深的接触孔能够充分刻蚀，避免出现刻蚀不足的现象。
本发明授权一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上形成器件层，所述器件层包括栅极及有源区，所述栅极及所述有源区位于不同的深度平面上； 在所述栅极及有源区上方形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层为含碳的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包括含碳层，所述含碳层的厚度小于等于1nm； 在所述刻蚀停止层上方形成层间介质层； 刻蚀所述层间介质层，直至在所述刻蚀停止层上方形成接触孔，含C、F的刻蚀气体作用在接触孔底部的含碳的所述刻蚀停止层，形成碳基聚合物，以阻止刻蚀的进一步进行； 去除刻蚀过程中在所述接触孔底部形成的碳基聚合物； 继续刻蚀所述刻蚀停止层直至在所述栅极和有源区上方形成接触孔。
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