铠侠股份有限公司大久保拓郎获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110214693.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由大久保拓郎;林秀和设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法是将第1半导体衬底与第2半导体衬底贴合而形成积层体，在设置在所述第1半导体衬底的外周部与所述第2半导体衬底的外周部间的间隙，嵌入具有第1粘度的第1填充材，将所述第1填充材嵌入所述间隙后，以与所述第1填充材相邻的方式将第2填充材嵌入所述间隙，并使所述第2半导体衬底变薄，其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于： 将第1半导体衬底与第2半导体衬底贴合而形成积层体； 对设置在所述第1半导体衬底的外周部与所述第2半导体衬底的外周部间的间隙，嵌入具有第1粘度的第1填充材； 将所述第1填充材嵌入所述间隙后，以与所述第1填充材相邻的方式将第2填充材嵌入所述间隙，其中所述第2填充材具有高于所述第1粘度的第2粘度； 使所述第2半导体衬底变薄；且 所述间隙包含：第1间隙部以及第2间隙部，在所述积层体的剖视时，所述第2间隙部比所述第1间隙部厚； 所述第1填充材嵌入所述第1间隙部，所述第2填充材嵌入所述第2间隙部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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