清华大学王学雯获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053756B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110269787.1，技术领域涉及：H01L21/428；该发明授权一种基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络及其制备方法与应用是由王学雯;刘锴设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络及其制备方法与应用。它的制备方法，包括以下步骤：1通过气相沉积法在基底上生长单晶过渡金属化合物薄膜；2将步骤1所述的薄膜转移至有介质层的基底上；3对步骤2中有介质层的基底上薄膜用激光按照指定路径辐照，得到指定异质结构的样品；4在所述指定异质结构的样品表面采用电子束或热蒸镀的方法镀上源极和漏极，即得到基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络。本发明由于亚纳米级别的厚度和人工可调制的边界以及可控生成的表面缺陷，有效地减小了金属与电极之间肖特基势垒，从而减少了开启电压，也使其能耗降低到人脑水平。
本发明授权一种基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络的制备方法，包括以下步骤： 1）通过气相沉积法在基底上生长单晶过渡金属化合物薄膜； 2）将步骤1）所述的薄膜转移至有介质层的基底上； 3）对步骤2）中有介质层的基底上薄膜用激光按照指定路径辐照，得到指定异质结构的样品； 所述激光按照指定路径辐照后，激光扫描过的过渡金属硫属化合物区域仍然保持过渡金属硫属化合物的晶体结构且表面产生缺陷；未被激光扫描过的过渡金属硫属化合物区域晶体结构保持不变；激光扫描过的过渡金属硫属化合物和未被激光扫描过的过渡金属硫属化合物构成了异质结构； 4）在所述指定异质结构的样品表面采用电子束或热蒸镀的方法镀上源极和漏极，即得到基于二维材料的可人工设计边界的阵列化神经网络。
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