JSR株式会社樫下幸志获国家专利权
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龙图腾网获悉JSR株式会社申请的专利液晶元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180029694.X，技术领域涉及：G02F1/1334；该发明授权液晶元件及其制造方法是由樫下幸志;大场佑树;栗田慎也;植阪裕介;绫部真嗣设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本液晶元件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种即使在基材上不具有液晶取向膜，透明性及光散射性也高且耐热性、重复驱动耐性及弯曲后的光学特性也良好的液晶元件及其制造方法。液晶元件包括：第一基材，设置有第一电极；第二基材，设置有第二电极且与第一基材相向配置；以及液晶层，与第一基材及第二基材邻接配置且使含有液晶及聚合性化合物的液晶组合物硬化而形成。液晶元件中，自第一基材及第二基材中的至少一者剥离液晶层，将剥离了液晶层的基材在己烷中在23℃下浸渍30秒并进行干燥，对干燥后的剥离面侧的基材表面通过X射线光电子分光法进行测定时，相对于碳原子、氧原子与硅原子的合计量，硅原子的比例为0.05％以上且10％以下。
本发明授权液晶元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种液晶元件，包括： 第一基材，设置有第一电极； 第二基材，设置有第二电极且与所述第一基材相向配置；以及 液晶层，与所述第一基材及所述第二基材邻接配置且使含有液晶及聚合性化合物的液晶组合物硬化而形成， 所述液晶元件不具有液晶取向膜， 自所述第一基材及所述第二基材中的至少一者剥离所述液晶层，将剥离了所述液晶层的基材在己烷中在23℃下浸渍30秒并进行干燥，对干燥后的剥离面侧的基材表面通过X射线光电子分光法进行测定时，相对于碳原子、氧原子与硅原子的合计量，硅原子的比例为0.05％以上且10％以下。
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