东京毅力科创株式会社杉本贵史获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利加热装置、基片处理系统和加热方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113903681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110648411.1,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权加热装置、基片处理系统和加热方法是由杉本贵史;高桥裕之;冈野真也设计研发完成,并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热装置、基片处理系统和加热方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种加热装置、基片处理系统和加热方法,在处理装置的外部预先对基片进行加热并将加热后的基片用输送机构保持并输送到处理装置情况下,能够使到达处理装置的时刻的基片的温度在基片面内均匀。一种在向处理装置输送基片之前对该基片进行加热的加热装置,在外部设置有在该加热装置与所述处理装置之间保持并输送基片的输送机构,所述加热装置包括支承基片的支承部和具有出射光的发光元件的加热部,所述加热部能够利用所述光来将支承于所述支承部的基片按俯视时划分的每个区域相互独立地进行加热,与所述输送机构的基片保持部接触的基片内的区域所对应的所述发光元件的光输出,比基片内的其他区域所对应的所述发光元件的光输出高。
本发明授权加热装置、基片处理系统和加热方法在权利要求书中公布了:1.一种加热装置,其在向处理装置输送基片之前对该基片进行加热,其特征在于: 在所述加热装置的外部设置有在该加热装置与所述处理装置之间保持并输送基片的输送机构, 所述加热装置包括: 支承基片的支承部;和 加热部, 所述加热部具有: 基座; 发光元件,其设置在所述基座的下表面,出射光来将支承于所述支承部的基片按俯视时划分的每个区域相互独立地进行加热;和 控制电路板,其搭载于所述基座的与所述下表面相反的上表面,且具有存储器,所述存储器存储有:与所述输送机构的基片保持部接触的所述基片内的第一区域所对应的所述发光元件的第一光输出值;和不与所述输送机构接触的所述基片内的第二区域所对应的所述发光元件的第二光输出值,所述控制电路板基于所述存储器中存储的所述第一光输出值和所述第二光输出值来控制所述发光元件的光输出, 所述控制电路板基于所述存储器中存储的所述第一光输出值和所述第二光输出值,将与所述输送机构的基片保持部接触的基片内的所述第一区域所对应的所述发光元件的光输出,设置为比不与所述输送机构接触的基片内的所述第二区域所对应的所述发光元件的光输出高,以使得与所述输送机构的基片保持部接触的基片内的所述第一区域的温度比不与所述输送机构接触的所述基片内的所述第二区域的温度提高了预测向所述处理装置的输送中由于所述输送机构的基片保持部的热吸收而降低的量。
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