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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110777160.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由肖德元设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：半导体基底，半导体基底包括逻辑器件区以及存储器区；位线以及与位线同层设置的电接触层，位线位于存储器区内，电接触层位于逻辑器件区内；第一半导体通道，位于位线表面，第二半导体通道，第二半导体通道与第一半导体通道同层设置，且位于电接触层表面；字线以及与字线同层设置的栅极；电容结构，与第一半导体通道的第二掺杂区相接触；电连接结构，与第二半导体通道的第四掺杂区相接触；介质层，位于位线与字线之间，且还位于字线远离半导体基底的一侧。本发明实施例有利于在半导体结构内实现存内计算，以提高半导体结构的工作效率和降低半导体结构的工作能耗。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底包括逻辑器件区以及存储器区； 位线以及与所述位线同层设置的电接触层，所述位线位于所述存储器区的所述半导体基底上，所述电接触层位于所述逻辑器件区的所述半导体基底上； 第一半导体通道，所述第一半导体通道位于所述位线表面，在沿所述半导体基底指向所述位线的方向上，所述第一半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、第一沟道区以及第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述位线相接触； 第二半导体通道，所述第二半导体通道与所述第一半导体通道同层设置，且位于所述电接触层表面，在沿所述半导体基底指向所述电接触层的方向上，所述第二半导体通道包括依次排列的第三掺杂区、第二沟道区以及第四掺杂区，所述第三掺杂区与所述电接触层相接触； 字线以及与所述字线同层设置的栅极，所述字线环绕所述第一沟道区设置，所述栅极环绕所述第二沟道区设置； 电容结构，所述电容结构位于所述第二掺杂区远离所述第一沟道区的一侧，且所述电容结构与所述第二掺杂区相接触； 电连接结构，所述电连接结构位于所述第四掺杂区远离所述第二沟道区的一侧，且所述电连接结构与所述第四掺杂区相接触； 介质层，所述介质层位于所述位线与所述字线之间，且还位于所述字线远离所述半导体基底的一侧； 所述半导体基底包括： 半导体衬底； 第一半导体阱层，设置于所述存储器区的所述半导体衬底上，且所述位线位于所述第一半导体阱层远离所述半导体衬底的表面；所述第一半导体阱层在所述半导体衬底上的正投影与所述位线在所述半导体衬底上的正投影重合； 第二半导体阱层，设置于所述逻辑器件区的所述半导体衬底上，且所述电接触层位于所述第二半导体阱层远离所述半导体衬底的表面。

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