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龙图腾网获悉力旺电子股份有限公司申请的专利非挥发性存储器的存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110930150.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权非挥发性存储器的存储单元是由赖宗沐;陈志欣;黎俊霄;林庆源设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本非挥发性存储器的存储单元在说明书摘要公布了：本发明公开一种非挥发性存储器的存储单元，包括：一N型区域、一N型阱区、一P型阱区、一第一p型掺杂区域、一第二p型掺杂区域与一第一n型掺杂区域。该N型阱区与该P型阱区形成于该N型区域中。该第一p型掺杂区域与该第二p型掺杂区域位于该N型阱区的表面。该栅极层位于该第一p型掺杂区域与一第二p型掺杂区域之间的该N型阱区表面上方。该第一n型掺杂区域位于该P型阱区的表面。该栅极层延伸至该P型阱区，并且该栅极层的一第一侧相邻于该第一n型掺杂区域。

本发明授权非挥发性存储器的存储单元在权利要求书中公布了：1.一种非挥发性存储器的存储单元，包括： N型区域； N型阱区与P型阱区，形成于该N型区域中； 第一p型掺杂区域与第二p型掺杂区域，位于该N型阱区的表面； 栅极层，位于该第一p型掺杂区域与第二p型掺杂区域之间的该N型阱区表面上方，且该栅极层自该N型阱区延伸至该P型阱区；以及 第一n型掺杂区域，位于该P型阱区的表面，且该第一n型掺杂区域相邻于该栅极层的第一侧； 其中，该栅极层、该N型阱区、该第一p型掺杂区域与该第二p型掺杂区域形成p型晶体管；该栅极层、该P型阱区、该第一n型掺杂区域形成晶体管电容，该晶体管电容与该p型晶体管与共用该栅极层；以及，该N型区域与该P型阱区形成二极管； 其中，该p型晶体管的第一漏源端连接至位线，该p型晶体管的第二漏源端连接至源极线，该P型阱区与该第一n型掺杂区域连接至字符线； 其中，该栅极层为浮动栅极层，且覆盖该P型阱区的该栅极层包括p型栅极层与n型栅极层； 其中，该P型阱区的表面还包括第三p型掺杂区域；该栅极层延伸至该P型阱区，并且该栅极层的第二侧相邻于该第三p型掺杂区域；该栅极层的该第一侧为该n型栅极层；且该栅极层的该第二侧为该p型栅极层，该第三p型掺杂区域连接至该字符线。

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