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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111139465.1，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由游凯设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。包括：在硬掩模层上形成第一图案化层，第一图案化层包括第一芯轴以及第二芯轴，第一图案化层基于集成电路的布局形成，集成电路的布局被分解为芯轴区域和非芯轴区域，芯轴区域用于反映布局的特征尺寸，第一芯轴间隔填充于所述芯轴区域，第二芯轴设置于所述非芯轴区域；在第一芯轴的侧壁以及第二芯轴的侧壁形成侧壁沉积物，侧壁沉积物在硬掩膜层上形成第二图案化层；刻蚀第一芯轴与第二芯轴；基于第二图案化层对硬掩膜层进行图案化，以在硬掩膜层内部被图案化的区域上形成第一沟槽；刻蚀第二图案化层，在第一沟槽内形成填充金属层。采用本申请，能够有效提高机台对半导体结构的对准精度。

本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括衬底、硬掩模层、第一图案化层、第二图案化层以及填充金属层，其中，所述硬掩模层沉积于所述衬底上； 所述制备方法包括： 在所述硬掩模层上形成所述第一图案化层，所述第一图案化层包括第一芯轴以及第二芯轴，所述第一图案化层基于集成电路的布局形成，所述集成电路的布局被分解为芯轴区域和非芯轴区域，所述芯轴区域用于反映布局的特征尺寸，所述第一芯轴间隔填充于所述芯轴区域，所述第二芯轴设置于所述非芯轴区域； 在所述第一芯轴的侧壁以及所述第二芯轴的侧壁形成侧壁沉积物，所述侧壁沉积物在所述硬掩模层上形成第二图案化层； 刻蚀所述第一芯轴与所述第二芯轴； 基于所述第二图案化层对所述硬掩模层进行图案化，以在所述硬掩模层内部被图案化的区域上形成第一沟槽； 刻蚀所述第二图案化层，在所述第一沟槽内形成填充金属层； 其中，所述芯轴区域设有多个沿第一方向间隔排布的所述第一芯轴，所述非芯轴区域设有多个沿所述第一方向间隔排布的所述第二芯轴； 所述芯轴区域与所述非芯轴区域沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相交。

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