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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利PMOS管触发双向硅控整流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903732B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111151124.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权PMOS管触发双向硅控整流器是由朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本PMOS管触发双向硅控整流器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种PMOS管触发双向硅控整流器，包括：衬底；深N阱，位于所述衬底上方；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱及第三N阱，从左至右依次排列于所述深N阱上方；第一PMOS管，包括P型栅极及位于所述P型栅极两侧的P型源漏区；两个N型掺杂区，分别位于所述第一P阱和所述第二P阱中；具有PMOS管的静电脉冲侦测电路，具有控制端口及两个电压端口，每个所述电压端口分别与对应的所述P型源漏区及对应的所述N型掺杂区电性连接，所述控制端口与所述P型栅极电性连接以向所述P型栅极输出控制电压控制所述第一PMOS管的通断；本发明降低了双向硅控整流器的触发电压，提高了其适用性。

本发明授权PMOS管触发双向硅控整流器在权利要求书中公布了：1.一种PMOS管触发双向硅控整流器，其特征在于，包括： 衬底； 深N阱，位于所述衬底上方； 第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱及第三N阱，从左至右依次排列于所述深N阱上方； 第一PMOS管，包括P型栅极及位于所述P型栅极两侧的P型源漏区，所述P型栅极位于所述第二N阱上方，所述P型栅极两侧的P型源漏区分别位于所述第一P阱与所述第二N阱的交界处和所述第二N阱与所述第二P阱的交界处； 两个N型掺杂区，分别位于所述第一P阱和所述第二P阱中，且每个所述N型掺杂区与对应的所述P型源漏区通过沟槽隔离结构隔离开，其中，所述第一N阱、所述第一P阱、所述第二N阱、所述第二P阱及所述第三N阱的深度均大于所述P型源漏区及所述N型掺杂区的深度； 具有PMOS管的静电脉冲侦测电路，具有控制端口及两个电压端口，每个所述电压端口分别与对应的所述P型源漏区及对应的所述N型掺杂区电性连接，两个所述电压端口之间具有电压差，所述控制端口与所述P型栅极电性连接以向所述P型栅极输出控制电压控制所述第一PMOS管的通断。

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