长鑫存储技术有限公司龙强获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种接触插塞的测试结构及其形成方法、测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111202890.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种接触插塞的测试结构及其形成方法、测试方法是由龙强设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种接触插塞的测试结构及其形成方法、测试方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种接触插塞的测试结构，所述测试结构包括：衬底；设置于所述衬底上的多个有源区域；设置于所述衬底上的多个接触插塞，同一所述有源区域上形成至少两个接触插塞，且所述接触插塞的底部与所述有源区域电连接；多个连接件，每一所述连接件电连接分别位于不同有源区域上的所述接触插塞，使得所述有源区域、所述接触插塞和所述连接件形成串联结构；位于所述衬底上的多个伪栅极，所述伪栅极至少位于所述接触插塞的一侧。本公开的测试结构与实际集成电路应用的结构更加接近，这样的测试结构更加能够反映接触插塞的工艺情况，可以较准确的测试出接触插塞的电阻值。
本发明授权一种接触插塞的测试结构及其形成方法、测试方法在权利要求书中公布了：1.一种接触插塞的测试结构，其特征在于，包括： 衬底； 设置于所述衬底上的多个有源区域； 设置于所述衬底上的多个接触插塞，同一所述有源区域上形成至少两个接触插塞，且所述接触插塞的底部与所述有源区域电连接； 多个连接件，每一所述连接件电连接分别位于不同有源区域上的所述接触插塞，使得所述有源区域、所述接触插塞和所述连接件形成串联结构； 位于所述衬底上的多个伪栅极，所述伪栅极至少位于所述接触插塞的一侧； 至少一个所述接触插塞的侧壁具有凹陷部，所述接触插塞的侧壁在所述凹陷部处沿侧向方向向内凹陷，且所述凹陷部位于所述接触插塞的朝向相邻的所述伪栅极的一侧。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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