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龙图腾网获悉PEP创新私人有限公司申请的专利芯片封装、芯片结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111236349.1，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权芯片封装、芯片结构及其制造方法是由周辉星设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装、芯片结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开旨在提供一种芯片封装、芯片结构及其制造方法，其中，该芯片封装用于电源模块，其包括至少一个裸片，其具有较薄的厚度，用于减小用作电源模块时的电阻；用于控制所述至少一个裸片的驱动电路；在所述至少一个裸片和驱动电路上形成的保护层，其具有多个保护层开口；金属单元，所述金属单元包括至少一个金属特征；以及塑封层，用于包封所述至少一个裸片、驱动电路、保护层和金属单元。所述芯片封装通过至少一个金属特征与一外部电路相连接。

本发明授权芯片封装、芯片结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于电源模块的芯片封装，其特征在于，包括： 具有相对的裸片活性面和裸片背面的至少一个裸片，其中所述至少一个裸片具有较薄的厚度，用于减小用作电源模块时的电阻； 用于控制所述至少一个裸片的驱动电路，其具有相对的驱动活性面和驱动背面； 在所述裸片活性面和驱动活性面上形成的保护层，其具有多个保护层开口，用于将所述裸片活性面和驱动活性面从所述保护层中暴露； 金属单元，所述金属单元包括至少一个金属特征，其中所述至少一个金属特征具有至少一个连接垫，所述至少一个连接垫具有相对的连接垫正面和连接垫背面； 塑封层，用于包封所述至少一个裸片、驱动电路、保护层和金属单元； 在所述金属单元的至少一个金属特征、保护层和塑封层上形成的第一导电结构，其中所述第一导电结构连接至所述裸片活性面和驱动活性面，用于将所述至少一个裸片和驱动电路连接至所述金属单元； 在所述金属单元的至少一个金属特征和塑封层上形成的第二导电结构，所述第二导电结构和第一导电结构在所述至少一个裸片的相对侧，其中所述第二导电结构通过所述金属单元的至少一个连接垫和所述第一导电结构相连接； 所述至少一个连接垫的连接垫背面与所述第二导电结构直接接触； 在所述至少一个裸片的裸片背面形成的附加塑封层，并被所述塑封层包封；以及在所述附加塑封层中至少一个空隙，用于将所述裸片背面从塑封层中暴露，其中在所述至少一个空隙中填充导电介质以形成导电填充空隙，用于和所述第二导电结构相连接； 其中所述芯片封装通过至少一个金属特征与一外部电路相连接。

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