长鑫存储技术有限公司潘凡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件的制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111266168.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件是由潘凡设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有至少一个沟槽；在所述沟槽内形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述沟槽的侧壁和底部，且未完全填充所述沟槽；对所述第一多晶硅层执行退火工艺；在执行所述退火工艺后，在所述沟槽未被所述第一多晶硅层填充的区域处形成第二多晶硅层。有效减少填充于沟槽内的第一多晶硅层和第二多晶硅层中的孔隙，提高半导体器件的电性能。
本发明授权一种半导体器件的制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供衬底，所述衬底具有至少一个沟槽； 在所述沟槽内形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述沟槽的侧壁和底部，且未完全填充所述沟槽； 对所述第一多晶硅层执行退火工艺； 在执行所述退火工艺后，在所述沟槽未被所述第一多晶硅层填充的区域处形成第二多晶硅层； 其中所述第一多晶硅层在执行所述退火工艺之前，所述沟槽未被所述第一多晶硅层填充的区域构成第一开口，所述第一开口具有上窄下宽的截面形状；所述第一多晶硅层在执行所述退火工艺后，所述沟槽未被所述第一多晶硅层填充的区域构成第二开口，所述第二开口具有上宽下窄的截面形状。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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