清华大学任天令获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于双极型场效应晶体管的阈值反相器及其量化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114221660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111370677.0，技术领域涉及：H03M1/36；该发明授权基于双极型场效应晶体管的阈值反相器及其量化方法是由任天令;鄢诏译;田禾;杨轶设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于双极型场效应晶体管的阈值反相器及其量化方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相器及其量化方法，其中，阈值反相器包括：由双极型场效应晶体管构成的第一匀质反相器至第N匀质反相器，其中，第一匀质反相器至第N匀质反相器的第一端均连接输入电压，第N‑1匀质反相器的第二端连接第N匀质反相器的第三端，并输出第N‑1匀质反相器的输出电压，第N匀质反相器的第二端连接第一供电电压，第一匀质反相器的第三端连接第二供电电压。本申请负责实现器件阈值电压匹配的设计参数完全由双极型场效应晶体管的沟长参数承担，不再需要涉及不同掺杂类型晶体管之间的匹配，设计简单，可以应用到诸如闪烁型模数转换器FlashADC等场合。
本发明授权基于双极型场效应晶体管的阈值反相器及其量化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其特征在于，包括：由双极型场效应晶体管构成的第一匀质反相器至第N匀质反相器，其中， 所述第一匀质反相器至第N匀质反相器的第一端均连接输入电压，第N-1匀质反相器的第二端连接所述第N匀质反相器的第三端，并输出所述第N-1匀质反相器的输出电压，所述第N匀质反相器的第二端连接第一供电电压，所述第一匀质反相器的第三端连接第二供电电压，其中，N为自然数且大于或等于3； 所述第一匀质反相器至第N匀质反相器的跳变阈值电压由匀质反相器中上拉与下拉网络的比例控制； 所述匀质反相器中上拉与下拉网络的比例通过所述双极型场效应晶体管中的沟道参数确定，其中，所述沟道参数包括沟道长度或双极型场效应晶体管宽度； 所述双极型场效应晶体管的器件结构包括背栅结构和顶栅结构。
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