中国科学院半导体研究所杨静获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种紫外激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115733052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111401026.3，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种紫外激光器外延片及其制备方法是由杨静;赵德刚;梁锋;刘宗顺;陈平设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外激光器外延片及其制备方法，该制备方法包括：在n型GaN层上制备第一AlGaN限制层，其中，第一AlGaN限制层的Al的组分浓度沿第一方向增加，第一方向为n型GaN层朝向第一AlGaN限制层的方向；在第一AlGaN限制层上制备第一波导层；在第一波导层上制备量子阱发光层，其中，量子阱发光层的发光波长范围包括330nm至390nm；在量子阱发光层上制备第二波导层；以及在第二波导层上制备第二AlGaN限制层，其中，第二AlGaN限制层的Al的组分浓度沿第一方向减小。
本发明授权一种紫外激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外激光器外延片的制备方法，包括： 在n型GaN层（1）上制备第一AlGaN限制层（2），其中，所述第一AlGaN限制层（2）的Al的组分浓度沿第一方向增加，所述第一方向为所述n型GaN层（1）朝向所述第一AlGaN限制层（2）的方向； 在所述第一AlGaN限制层（2）上制备第一波导层（3）； 在所述第一波导层（3）上制备量子阱发光层（4），其中，所述量子阱发光层（4）的发光波长范围包括330nm至390nm； 在所述量子阱发光层（4）上制备第二波导层（5）；以及 在所述第二波导层（5）上制备第二AlGaN限制层（6），其中，所述第二AlGaN限制层（6）的Al的组分浓度沿所述第一方向减小； 所述制备方法还包括： 在衬底（7）上制备GaN成核层（8）； 在所述GaN成核层（8）上制备非掺杂GaN层（9）； 在所述非掺杂GaN层（9）上制备所述n型GaN层（1）；以及 在所述第二AlGaN限制层（6）上制备p型GaN层（10），形成紫外激光器延片的欧姆接触层。
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