买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111449785.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述沟槽区设置在所述基体区侧方，并分别与所述漂移区、所述基体区和所述源区相接；所述沟槽区包括屏蔽栅、控制栅、绝缘层和金属栅极；所述源区由P型源区和N型源区组成，所述P型源区和所述N型源区并列设置，且分别相接于所述沟槽区；所述屏蔽栅与所述漂移区相接。当发生雪崩击穿时，空穴电流能够沿着沟槽区的侧边直接注入P型源区，空穴电流移动的路径变短，抑制了寄生三极管的开启，提高了雪崩耐量。

本发明授权屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、沟槽区5、漏极6以及源极7； 所述漂移区2与所述衬底区1相接，以所述衬底区1指向所述漂移区2的方向为上方， 所述基体区3和所述源区4依次设置在所述漂移区2的上方； 所述沟槽区5设置在所述基体区3侧方，并分别与所述漂移区2、所述基体区3和所述源区4相接； 所述源区4由P型源区41和N型源区42组成，所述P型源区41和所述N型源区42沿所述基体区3的顶面并列设置，且分别相接于所述沟槽区5； 所述沟槽区5包括屏蔽栅51、控制栅52、绝缘层53和金属栅极；所述控制栅52和所述屏蔽栅51由上至下依次设置在所述沟槽区5内，且经所述绝缘层53分隔；所述控制栅52通过所述绝缘层53分别与所述基体区3和所述源区4相接，所述屏蔽栅51通过所述绝缘层53与所述漂移区2相接； 所述源极7设置在所述源区4上方；所述漏极6设置在所述衬底区1下方；所述金属栅极设在所述控制栅52上方； 还包括势垒缓冲区8： 所述势垒缓冲区8设置于所述漂移区2和所述基体区3之间；所述势垒缓冲区8为所述基体区3与所述漂移区2之间的肖特基结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡先瞳半导体科技有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。