美光科技公司黄祥珉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成组合件和半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111457535.8，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权集成组合件和半导体存储器装置是由黄祥珉;李奎锡;C·G·维杜威特设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成组合件和半导体存储器装置在说明书摘要公布了：本申请涉及集成组合件和半导体存储器装置。一些实施例包含具有CMOS区的集成组合件。鳍片横跨所述CMOS区延伸且位于第一间距上。电路布置与所述CMOS区相关联且包含所述鳍片中的一或多个的片段。所述电路布置沿着第一方向具有第一尺寸。第二区接近所述CMOS区。导电结构与所述第二区相关联。所述导电结构沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸。所述导电结构中的一些与所述电路布置电耦合。所述导电结构位于与所述第一间距不同的第二间距上。第二尺寸为沿着所述第一方向横跨所述导电结构中的所述一些的距离，且第二尺寸与所述第一尺寸大体上相同。
本发明授权集成组合件和半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其包括： CMOS区； 鳍片，其横跨所述CMOS区延伸，所述鳍片位于第一间距上； 电路布置，其与所述CMOS区相关联且包括所述鳍片中的一或多个的片段；所述电路布置沿着第一方向具有第一尺寸； 第二区，其接近所述CMOS区；以及 导电结构，其与所述第二区相关联且沿着与所述第一方向大体上正交的第二方向延伸；所述导电结构中的一些与所述电路布置电耦合；所述导电结构位于不同于所述第一间距的第二间距上；第二尺寸为沿着所述第一方向横跨所述导电结构中的所述一些的距离；所述导电结构与所述电路布置对准，使得所述第二尺寸与所述第一尺寸大体上相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号