三菱电机株式会社铃木健司获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111457673.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及其制造方法是由铃木健司;原口友树;南竹春彦;星泰晖;吉田拓弥;纐缬英典;宫田祐辅;清井明设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供能够容易地提高栅极耐压的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：第1导电型的硅基板，其具有单元部和在俯视观察时将该单元部包围的末端部；第1导电型的发射极层，其设置于单元部的硅基板的表面；第2导电型的集电极层，其设置于单元部的硅基板的背面；第1导电型的漂移层，其设置于发射极层和集电极层之间；沟槽栅极，其是以从发射极层的表面到达漂移层的方式设置的；以及第2导电型的阱层，其设置于末端部的硅基板的表面，在单元部处晶体缺陷所包含的空位比在末端部处晶体缺陷所包含的空位少。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 第1导电型的硅基板，其具有单元部和在俯视观察时将该单元部包围的末端部； 第1导电型的发射极层，其设置于所述单元部的所述硅基板的表面； 第2导电型的集电极层，其设置于所述单元部的所述硅基板的背面； 第1导电型的漂移层，其设置于所述发射极层与所述集电极层之间； 沟槽栅极，其是以从所述发射极层的表面到达所述漂移层的方式设置的；以及 第2导电型的阱层，其设置于所述末端部的所述硅基板的表面， 在所述单元部处晶体缺陷所包含的空位比在所述末端部处晶体缺陷所包含的空位少， 所述单元部的填隙式硅比所述末端部的填隙式硅多。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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