深圳先进技术研究院李佳获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利一种光调控的石墨烯异质结晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111499620.0，技术领域涉及：H10K30/65；该发明授权一种光调控的石墨烯异质结晶体管及其制备方法是由李佳;姚智奇;刘志锴;喻学锋设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光调控的石墨烯异质结晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种光调控的石墨烯异质结晶体管，其特征在于，其由栅极、绝缘层、石墨烯纳米带阵列、源极、漏极以及有机半导体层制成，其中在栅极上设置绝缘层，绝缘层表面设置石墨烯纳米带阵列，在石墨烯纳米带阵列表面、沿着石墨烯纳米带阵列延伸方向的两端设置源极和漏极，并在源极和漏极之间、石墨烯纳米带阵列表面上以及石墨烯纳米带阵列的带间设置有机半导体层，其中，石墨烯纳米带阵列的带间宽度设置为使其在红外波段可激发石墨烯等离激元。本发明将石墨烯超构表面与有机半导体有机结合，利用红外光直接对石墨烯的费米能级进行调控，提供了一种调控石墨烯载流子浓度的方法，进而在红外波段实现石墨烯等离激元的灵活调控。
本发明授权一种光调控的石墨烯异质结晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光调控的石墨烯异质结晶体管，其特征在于，其由栅极、绝缘层、石墨烯纳米带阵列、源极、漏极以及有机半导体层制成，其中在栅极上设置绝缘层，绝缘层表面设置石墨烯纳米带阵列，在石墨烯纳米带阵列表面、沿着石墨烯纳米带阵列延伸方向的两端设置源极和漏极，并在源极和漏极之间、石墨烯纳米带阵列表面上以及石墨烯纳米带阵列的带间设置有机半导体层， 其中，石墨烯纳米带阵列的带间宽度设置为使其在红外波段可激发石墨烯等离激元； 所述有机半导体层用于吸收红外光产生电子-空穴对，并且在石墨烯纳米带阵列和有机半导体层的界面上分离； 所述有机半导体层的价带能级低于石墨烯的费米能级。
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