上海华力集成电路制造有限公司靳丹丹获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善STI平坦度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097309.1，技术领域涉及：H01L21/3115；该发明授权改善STI平坦度的方法是由靳丹丹;沈耀庭;周春设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善STI平坦度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善STI平坦度的方法，提供衬底，衬底上形成有阱，还形成有STI用以定义出的有源区；在衬底上形成覆盖STI和有源区的光刻胶层，光刻使得有源区和部分STI裸露；对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，用以形成轻掺杂漏；利用非激活离子对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，其中STI被离子注入的深度为第一深度，未被离子注入的深度为第二深度，第一深度与第二深度的差值小于10埃。本发明改善了离子注入的STI区域与未进行离子注入的STI区域间高度的差异，便于去除伪栅，避免金属栅成型后的性能受到影响。
本发明授权改善STI平坦度的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善STI平坦度的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有阱，以及形成STI用以定义出有源区； 步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述STI和所述有源区的光刻胶层，光刻使得所述有源区以及部分所述STI裸露； 步骤三、对裸露的所述有源区和部分所述STI进行离子注入，以形成轻掺杂漏； 步骤四、利用非激活离子对裸露的所述有源区和部分所述STI进行离子注入，所述非激活离子的元素种类为元素周期表中第四族或第零族，所述非激活离子为硅离子、氩离子、氙离子和锗离子中的任意一种，其中所述STI被离子注入的深度为第一深度，所述STI未被离子注入的深度为第二深度，所述第一深度与第二深度的差值小于10埃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号