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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210197772.3，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块是由王来利;靳浩源;温浚铎;董晓博;杨成子设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，能够提升装置工作频率，减小磁元件和整体装置体积，适用范围广泛。包括DAB主电路板、SiC器件、散热器、电感、变压器以及半桥驱动，DAB主电路板上集成有输入检测电路、输出检测电路、控制电路接口和驱动电路接口；其中，DAB主电路板开设有电感区和变压器区，分别用于放置所述电感和所述变压器，DAB主电路板的输入连接端固定有输入直流滤波电容，DAB主电路板的输出连接端固定有输出直流滤波电容，所述SiC器件与散热器夹持连接，散热器固定设置在所述DAB主电路板一侧，所述半桥驱动与所述散热器相对于DAB主电路板对称设置在所述DAB主电路板的另一侧。

本发明授权一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块在权利要求书中公布了：1.一种基于SiC器件的高功率密度DAB集成模块，其特征在于，包括DAB主电路板1、SiC器件6、散热器7、电感8、变压器9以及半桥驱动14，所述DAB主电路板1上集成有输入检测电路10、输出检测电路11、控制电路接口12和驱动电路接口13； 其中，所述DAB主电路板1开设有电感区和变压器区，分别用于放置所述电感8和所述变压器9，所述DAB主电路板1的输入连接端2固定有输入直流滤波电容4，DAB主电路板1的输出连接端3固定有输出直流滤波电容5，所述SiC器件6与散热器7夹持连接，所述散热器7固定设置在所述DAB主电路板1一侧，所述半桥驱动14与所述散热器7相对于DAB主电路板1对称设置在所述DAB主电路板1的另一侧； 所述输入检测电路10包括输入电压检测电路，所述输入电压检测电路集成在所述DAB主电路板1的输入连接端2一侧； 所述输出检测电路11包括输出电压检测电路和输出电流检测电路，所述输出电压检测电路和输出电流检测电路均集成在所述DAB主电路板1的输出连接端3一侧； 输入直流滤波电容4与输出直流滤波电容5高度为40mm，单个散热器7高度为46mm，电感8高度为63mm，变压器9高度为65mm； 8只SiC器件6与4只散热器7组合，并与4个半桥驱动14并排分布，利用半桥驱动14的宽度代替散热器7宽度。

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