北京科技大学田建军获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210412087.8，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备是由田建军;毕成浩设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米科技和发光显示技术领域，提供了一种蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备。采用富溴离子溶液化学合成法获得高荧光产率PLQY90％的蓝光发射钙钛矿量子点，通过配体交换工艺获得有机配体量子点PQD‑1和无机配体量子点PQD‑2，然后制备由PQD‑1层、氯化锌钝化层、PQD‑2层构成三层结构量子点薄膜，最后与透明导电氧化物阳极TOC、空穴传输层材料HTL、电子传输层材料ETL和金属阴极CL组成电致发光二极管。本发明电致发光二极管显著降低激子结合能来抑制俄歇复合，并降低电子注入速率来与空穴注入速率达到平衡；本发明电致发光二极管的电流效率和外量子效率高、稳定性好、工作寿命长。
本发明授权蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备在权利要求书中公布了：1.一种蓝光钙钛矿量子点薄膜，其特征在于，所述蓝光钙钛矿量子点薄膜包括有机配体量子点PQD-1、氯化锌钝化层和无机配体量子点PQD-2构成的三层结构钙钛矿量子点发光层EL； 所述蓝光钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括： S1、富溴离子溶液合成蓝光发射CsPbBr3钙钛矿量子点，蓝光波长为460～470纳米； S2、蓝光发射钙钛矿量子点的界面调控：以步骤S1的蓝光发射CsPbBr3钙钛矿量子点为基础，通过配体交换工艺制备有机配体量子点PQD-1，及制备无机配体量子点PQD-2； S3、在氯化锌钝化层的一面沉积有机配体量子点PQD-1，另一面沉积无机配体量子点PQD-2，得到三层结构钙钛矿量子点发光层EL。
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