湖北芯映光电有限公司刘强获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北芯映光电有限公司申请的专利发光二极管封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210751860.3，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权发光二极管封装结构及其制作方法是由刘强;谭广兵;冀婷婷设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种发光二极管封装结构及其制作方法，该封装结构包括透明基底、位于该透明基底表面的遮光层、以及发光二极管，该遮光层中设置有开口，该发光二极管设置于该开口中；该封装结构还包括封装层，该封装层覆盖该发光二极管，该发光二极管的出光面配置为朝向所述透明基底一侧。该封装结构有助于提高器件的墨色一致性和对比度。
本发明授权发光二极管封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管封装结构，包括透明基底、位于所述透明基底表面的遮光层、以及发光二极管， 其中，所述遮光层中设置有开口，所述发光二极管设置于所述开口中； 所述封装结构还包括封装层，所述封装层覆盖所述发光二极管，所述发光二极管的出光面配置为朝向所述透明基底一侧； 其中，所述发光二极管与所述开口的侧壁具有间隙； 所述间隙中填充有遮光体，以提高墨色一致性和对比度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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