上海华力集成电路制造有限公司郑科城获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210783762.8，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法是由郑科城;张武志;赵庆贺设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法，氧化硅层中形成有贯通其上下表面的金属结构；在氧化硅层以及所述金属结构上形成NDC层，在金属结构上的NDC层中形成贯通其上下表面的钨结构；在NDC层上表面形成覆盖钨结构的RRAM结构，之后在RRAM结构上形成第一氮化硅层；在NDC层以及所述第一氮化硅层上覆盖第二氮化硅层，第二氮化硅层同时覆盖所述RRAM结构的侧壁；刻蚀去除NDC层上的所述第二氮化硅层，并保留RRAM结构侧壁的第二氮化硅层。本发明不改变通孔和金属层高度的情况下，将RRAM集成进去，这充分保障了后段制程电性的一致性。
本发明授权一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法在权利要求书中公布了：1.一种增强后段集成RRAM结构侧壁保护的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供氧化硅层，所述氧化硅层中形成有贯通其上下表面的金属结构； 步骤二、在所述氧化硅层以及所述金属结构上形成NDC层，在所述金属结构上的所述NDC层中形成贯通其上下表面的钨结构； 步骤三、在所述NDC层上表面形成覆盖所述钨结构的RRAM结构，之后在所述RRAM结构上形成第一氮化硅层； 步骤四、在所述NDC层以及所述第一氮化硅层上覆盖第二氮化硅层，所述第二氮化硅层同时覆盖所述RRAM结构的侧壁； 步骤五、刻蚀去除所述NDC层上的所述第二氮化硅层，并保留所述RRAM结构侧壁的所述第二氮化硅层； 步骤六、在所述NDC层以及所述RRAM结构上的所述第二氮化硅层上覆盖氧化硅； 步骤七、在所述氧化硅中形成贯通其上表面至所述RRAM结构上表面的第三通孔； 步骤八、在所述第三通孔中填充金属。
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