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龙图腾网获悉香港科技大学深圳研究院申请的专利基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274655B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210773444.3，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件是由陈敬;舒稷设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件。所述的cascode型功率半导体器件由基于SiC的JFET、基于GaN的HEMT和双向的齐纳二极管组成；HEMT与JFET串联，其中HEMT的漏极与JFET的源极连接，JFET的门极与HEMT的源极连接，齐纳二极管B‑ZD与HEMT并联，由于齐纳二极管B‑ZD是双向对称的，不需要指定齐纳二极管B‑ZD的方向；在所述cascode器件中，JFET的漏极为cascode器件的漏极，HEMT的源极为cascode器件的源极，HEMT的门极为cascode器件的门极。

本发明授权基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件在权利要求书中公布了：1.一种基于级联JFET和HEMT的cascode型功率器件，所述cascode型功率器件由基于SiC的JFET、基于GaN的HEMT和双向的齐纳二极管组成；HEMT与JFET串联，其中HEMT的漏极与JFET的源极连接，JFET的门极与HEMT的源极连接，齐纳二极管B-ZD与HEMT并联，由于齐纳二极管B-ZD是双向对称的，不需要指定齐纳二极管B-ZD的方向；在所述cascode型功率器件中，JFET的漏极为cascode型功率器件的漏极，HEMT的源极为cascode型功率器件的源极，HEMT的门极为cascode型功率器件的门极，其特征在于，所述HEMT没有PN节，该器件不需要经历反向恢复过程即承受正向的电压；从而降低cascode型功率器件的开关损耗，提高了开关速度；在整个运行过程中，JFET的门极电压被有效的钳位，没有出现门极过电压的情况；在电流反向流过齐纳二极管DUT过程中，齐纳二极管B-ZD电流为0，无电流流过齐纳二极管B-ZD中的PN结，从而避免了反向恢复过程。

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