深圳市华星光电半导体显示技术有限公司汪国杰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210833365.7，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置是由汪国杰设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置，制备方法包括以下步骤：制备第一电极阵列排布于阵列基板上，相邻所述第一电极在第一方向上形成第一间隔，相邻所述第一电极在第二方向上形成第二间隔；整层覆盖负性材料于所述第一电极以及所述阵列基板上；对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影，所述第一间隔内的负性材料形成具有疏水性的第一像素定义层，所述第二间隔内的负性材料形成具有疏水性的第二像素定义层；对所述第一像素定义层再次曝光，使所述第一像素定义层具有亲水性。根据本发明，只需要涂布一层负性材料，并进行曝光显影再曝光便可得到两层像素定义层，节省了材料、设备的成本和时间成本，提高了制作效率。
本发明授权一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一阵列基板； 制备第一电极于阵列基板上，所述第一电极阵列排布于所述阵列基板上，相邻所述第一电极在第一方向上形成第一间隔，相邻所述第一电极在第二方向上形成第二间隔； 整层覆盖负性材料于所述第一电极以及所述阵列基板上； 对整层覆盖的所述负性材料进行曝光、显影，所述第一间隔内的负性材料形成具有疏水性的第一像素定义层，所述第二间隔内的负性材料形成具有疏水性的第二像素定义层； 对所述第一像素定义层再次曝光，使所述第一像素定义层具有亲水性； 制备发光层于所述第一电极上，所述发光层覆盖相邻所述第二像素定义层之间的第一像素定义层，所述发光层具有亲水性。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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