华灿光电(苏州)有限公司兰叶获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利改善断裂的发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210928874.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权改善断裂的发光二极管及其制备方法是由兰叶;王江波;张威设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善断裂的发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：基板、外延层、钝化层和至少两个焊点块；所述外延层包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述钝化层位于所述第二半导体层上，所述钝化层远离所述基板的表面具有第一过孔和多个第二过孔；所述焊点块位于所述钝化层远离所述基板的表面，一个所述焊点块通过所述第一过孔与所述第二半导体层连接，至少一个所述焊点块通过所述第二过孔与所述第一半导体层连接。本公开实施例能改善外延层强度差容易断裂的问题。
本发明授权改善断裂的发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：基板10、外延层20、钝化层24和至少两个焊点块30； 所述外延层20包括依次层叠于所述基板10上的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述外延层20的远离所述基板10的表面无台阶，所述钝化层24位于所述第二半导体层23上，所述钝化层24远离所述基板10的表面具有第一过孔201和多个第二过孔202； 所述焊点块30位于所述钝化层24远离所述基板10的表面，一个所述焊点块30通过所述第一过孔201与所述第二半导体层23连接，至少一个所述焊点块30通过所述第二过孔202与所述第一半导体层21连接，多个所述第二过孔202沿所述外延层20的边缘分布，所述外延层20在所述基板10上的正投影为矩形，部分所述第二过孔202位于所述矩形的角部，位于所述矩形的角部的所述第二过孔202的孔径大于位于所述矩形的侧边的所述第二过孔202的孔径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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