中国科学院半导体研究所郭宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利使用单向光注入调制的激光器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115603177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211160594.3，技术领域涉及：H01S5/42；该发明授权使用单向光注入调制的激光器阵列是由郭宁;张杨;曾一平;关敏;杨尚宇设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用单向光注入调制的激光器阵列在说明书摘要公布了：本发明涉及硅基光电子学技术领域，提供一种使用单向光注入调制的激光器阵列，包括：阵列排布的多个激光器单元，每个激光器单元包括：波导光栅耦合器、主激光器和从激光器；波导光栅耦合器包括：光栅单元、波导单元和氧化单元；其中，光栅单元包括第一光栅和第二光栅，波导单元的两侧下方分别与第一光栅和第二光栅相连，氧化单元位于波导单元的上表面；主激光器位于第一光栅的下方，从激光器位于第二光栅的斜下方，且从激光器的出光区域在水平方向上的投影与第二光栅在水平方向上的投影不重叠。本发明可以采用简单的工艺和结构实现波导光的单向注入。
本发明授权使用单向光注入调制的激光器阵列在权利要求书中公布了：1.一种使用单向光注入调制的激光器阵列，其特征在于，包括：阵列排布的多个激光器单元，每个激光器单元包括：波导光栅耦合器、主激光器和从激光器； 所述波导光栅耦合器包括：光栅单元、波导单元和氧化单元；其中，所述光栅单元包括第一光栅和第二光栅，所述波导单元的两侧下方分别与所述第一光栅和第二光栅相连，所述氧化单元位于所述波导单元的上表面； 所述主激光器位于所述第一光栅的下方，所述从激光器位于所述第二光栅的斜下方，且所述从激光器的出光区域在水平方向上的投影与所述第二光栅在水平方向上的投影不重叠。
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