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龙图腾网获悉杭州极弱磁场重大科技基础设施研究院申请的专利一种磁屏蔽舱外部磁场干扰补偿装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115509130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211191874.0，技术领域涉及：G05B13/04；该发明授权一种磁屏蔽舱外部磁场干扰补偿装置是由郑世强;田鹏涛;文通;周金祥;毛琨;王坤;乐韵设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁屏蔽舱外部磁场干扰补偿装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁屏蔽舱外部磁场干扰补偿装置，包括：线性外部磁场干扰补偿器、线性扩张状态观测器、磁通门传感器、压控型电流源和方形亥姆霍兹线圈；压控型电流源与线性外部磁场干扰补偿器连接，线性外部磁场干扰补偿器与线性扩张状态观测器连接，线性扩张状态观测器与磁通门传感器连接，磁通门传感器与方形亥姆霍兹线圈连接。本发明能够减少磁屏蔽舱所需要的被动磁屏蔽层的层数，降低成本；所采用的外部磁场干扰补偿方法能够提高主动磁补偿装置的抗磁场干扰的能力；带偏置调节的压控电流源能够抵消磁通门偏置电压带来的影响、为补偿静态剩磁和外部干扰磁场提供所需要的电流。

本发明授权一种磁屏蔽舱外部磁场干扰补偿装置在权利要求书中公布了：1.磁屏蔽舱外部磁场干扰补偿装置，其特征在于，包括：线性外部磁场干扰补偿器、线性扩张状态观测器、磁通门传感器、压控型电流源和方形亥姆霍兹线圈； 所述压控型电流源与所述线性外部磁场干扰补偿器连接，所述线性外部磁场干扰补偿器与所述线性扩张状态观测器连接，所述线性扩张状态观测器与所述磁通门传感器连接，所述磁通门传感器与所述方形亥姆霍兹线圈连接； 对所述磁屏蔽舱外部磁场干扰补偿装置的被控对象进行建模，所述被控对象的状态方程为： 式中，y为系统输出状态；x1、x2分别为系统状态和扩张状态；为系统状态的导数；为扩张状态的导数；fsum为集总扰动；kd为电流环差分放大系数；kp为电流环比例系数；kw为电流环功率放大器放大倍数；L为磁补偿线圈电感；rsum为采样电阻与负载电阻的总阻值；rs为采样电阻阻值；kiv为仪表放大器放大倍数；Z为线圈匝数；Bs为线圈常数；km为磁通门传感器转换系数；kinad进入模数转换器前对信号的放大倍数；kad为模数转换系数；kda为数模转换系数；dv为电流环中的电流扰动；db为动态磁场干扰和静态剩磁的总和； 所述扩张状态的空间方程为： 式中，z1为系统输出状态的估计值；z2为系统扰动状态的估计值；表示系数矩阵；表示输入为u时的输入矩阵；为输入为y时的输入矩阵；为系统状态观测值的导数；为扩张状态观测值的导数； 所述线性外部磁场干扰补偿器的输出量为： 式中，u为控制量；Kp、b1为调节参数；Bref为磁屏蔽舱的磁场参考率。

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