北京大学魏进获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117954476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211323490.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法是由魏进;崔家玮;杨俊杰;吴妍霖设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次层叠的衬底层、过渡层、高阻层，在高阻层上的沟道区多个沟道层和势垒层依次交叠形成多个并列沟道，顶端沟道层和顶端势垒层则覆盖包括沟道区在内的整个器件表面；栅源区和漏区分别位于沟道区的两端，源极、栅极、漏极两两之间由钝化层隔开。本发明的多个并联沟道设计可以降低耐高压GaN基HEMT导通电阻，进而降低损耗。这种多沟道结构可以广泛适用于基于p‑GaN帽层或MIS结构的增强型HEMT器件以及传统的耗尽型HEMT器件，可以优化耐压与导通的折中关系，有利于近一步提高现有器件的优值。
本发明授权一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基HEMT器件，为基于p-GaN帽层的增强型HEMT器件，包括自下而上依次层叠的衬底层、过渡层、高阻层，其特征在于，在高阻层上的沟道区多个沟道层和势垒层依次交叠形成大于等于2的多个并列沟道，顶端沟道层和顶端势垒层则覆盖包括沟道区在内的整个器件表面；栅源区和漏区分别位于沟道区的两端，源极、栅极、漏极两两之间由钝化层隔开，且栅区位于顶端沟道层之上；其中，栅极p-GaN帽层位于顶端势垒层上，栅极位于所述栅极p-GaN帽层上。
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