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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211342034.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法是由李文翰;廖启超;潘结斌;陈婧瑶;史一明;李泽瑞;王文婧;郁兆华设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法,采用多次离子注入工艺手段，在本征硅层上利用数次磷、硼杂质的离子注入与RTA退火工艺，使得材料内部杂质元素净掺杂分布按照IMPATT管器件设计的P+、P、N与N+区4个区域，形成不同的分布较为均匀的浓度分布台阶。本明具有操作步骤简单、实施方式简便，生产成本低廉，制备周期短等优点。

本发明授权一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法在权利要求书中公布了：1.一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1、取一片硅片作为N型低阻衬底层（2），在N型低阻衬底层（2）上表面上生成出本征硅层（10），在本征硅层（10）设有氧化的保护层（1）； S2、在N型低阻衬底层（2）一侧的本征硅层（10）内通过至少一次的磷元素离子注入与RTA退火制备出IMPATT器件的N区（3）； S3、在N区（3）一侧的本征硅层外延层内通过至少一次的硼元素离子注入与RTA制备出IMPATT器件的P区（4）； S4、P区（4）和保护层（1）之间的本征硅层（10）内通过至少一次硼元素离子注入与RTA退火制备出IMPATT器件的P+区（5）； S5、在保护层（1）表面再设置补偿层（6）； S6、在P+区（5）再次注入硼元素离子进行补偿，从而确保P+区（5）与保护层（1）界面处硼元素离子的浓度； S7、采用湿法腐蚀的方法去除保护层（1）和补偿层（6）从而得到毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料； 所述S1中的N型低阻衬底层（2）为N111砷掺杂，厚度625±10微米，电阻率0.002-0.003Ω·cm；所述本征硅层（10）的外延层厚度为0.9～1.4μm，所述保护层（1）为二氧化硅淀积厚度为300Å； 在所述步骤S6中再次注入硼元素离子，注入能量为20～40keV，剂量为1e14～1.2e14Atomscm2；而后再次进行RTA退火激活，退火温度1000℃，时间30～40s。

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