长鑫存储技术有限公司刘欢获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565946B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211350754.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构是由刘欢;严勋设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括在贯穿导电层的第一开口中形成第一介质层，其中，第一介质层覆盖第一开口的底面及侧面和导电层的顶面，且位于第一开口内的第一介质层围成第二初始开口，第二初始开口顶部的宽度小于第二初始开口中部的宽度，并刻蚀以减薄位于第一开口内的第一介质层，使得由第一开口内剩余第一介质层围成第二开口，其顶部的宽度小于其中部的宽度，还在减薄后的第一介质层上形成第二介质层，第二介质层封堵第二开口顶部，从而通过位于第二开口内的第二介质层以及位于第二开口顶部的第二介质层围成气隙。如此，本公开实施例至少可以形成具有较大宽度的气隙以减小寄生电容。
本发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底以及位于所述基底上的导电层，其中，所述导电层具有贯穿所述导电层的第一开口； 形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一开口的底面和侧面，且还位于所述导电层的顶面，其中，位于所述第一开口内的所述第一介质层围成第二初始开口，所述第二初始开口顶部的宽度小于所述第二初始开口中部的宽度； 刻蚀以减薄位于所述第一开口内的所述第一介质层，其中，位于所述第一开口内的剩余的所述第一介质层围成第二开口，所述第二开口顶部的宽度小于所述第二开口中部的宽度； 形成第二介质层，所述第二介质层覆盖剩余的所述第一介质层且还封堵所述第二开口顶部，位于所述第二开口内的所述第二介质层以及位于所述第二开口顶部的所述第二介质层围成气隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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