中国电子科技集团公司第五十八研究所韩前磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种高精度基准电压电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115756076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211398086.9,技术领域涉及:G05F1/625;该发明授权一种高精度基准电压电路是由韩前磊;章宇新;孔祥艺;王成皓设计研发完成,并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高精度基准电压电路在说明书摘要公布了:本发明公开一种高精度基准电压电路,属于模拟集成电路领域,包括启动电路、偏置电路和放大器电路。启动电路在上电后负责电路的启动工作,同时将电路的启动支路电流限制在范围之内,起到保护作用;偏置电路采用交叉耦合结构,结合电流镜完成基准电流的输出;放大器电路由输入级电路、中间级电路、输出级电路和共模反馈电路组成,输入级电路采用差分输入结构,中间级电路采用共集电极放大结构,输出级电路采用达林顿输出结构,输入级电路与输出级电路结合共模反馈电路实现稳定的信号输出。本发明选择温度特性较好的金属薄膜电阻完成基准电压的采样,保证基准电压的温度特性;对后期的金属膜薄电阻进行高精度激光修调,保证基准电压的高精度输出。
本发明授权一种高精度基准电压电路在权利要求书中公布了:1.一种高精度基准电压电路,其特征在于,包括: 启动电路,在上电后负责电路的启动工作,同时将电路的启动支路电流限制在范围之内,起到保护作用; 偏置电路,采用交叉耦合结构,结合电流镜完成基准电流的输出; 放大器电路,由输入级电路、中间级电路、输出级电路和共模反馈电路组成,所述输入级电路采用差分输入结构,所述中间级电路采用共集电极放大结构,所述输出级电路采用达林顿输出结构,所述输入级电路与所述输出级电路结合所述共模反馈电路实现稳定的信号输出; 所述高精度基准电压电路包括电阻R1~R17、NPN管N1~N18、PNP管P1~P7和电容C1; 电阻R1~R6的第一端均连接电源VCC,电阻R1的第二端连接NPN管N1的集电极和基极;NPN管N1的发射极连接NPN管N3的集电极和NPN管N4的基极;NPN管N3的发射极接地; 电阻R2的第二端连接PNP管P1的发射极,PNP管P1的基极和集电极同时连接电阻R7的第一端,电阻R7的第二端连接NPN管N2的集电极;NPN管N2的基极连接NPN管N1的基极,发射极同时连接NPN管N18的基极和NPN管N4的集电极;NPN管N4的集电极连接NPN管N3的基极,发射极通过电阻R8接地; 电阻R3的第二端连接PNP管P2的发射极,PNP管P2的集电极同时连接PNP管P4的基极、NPN管N18的集电极和NPN管N8的集电极;NPN管N8的发射极连接NPN管N10的集电极; 电阻R4的第二端连接PNP管P3的发射极,PNP管P3的基极同时连接自身集电极和PNP管P2的基极,PNP管P3的集电极连接PNP管P4的发射极;PNP管P4的集电极连接NPN管N9的集电极,NPN管N9的发射极连接NPN管N11的集电极,NPN管N11的发射极和NPN管N10的发射极均连接NPN管N12的集电极,NPN管N12的发射极通过电阻R15接地; 电阻R5的第二端同时连接PNP管P5的发射极和NPN管N13的集电极;PNP管P5的基极连接PNP管P1的基极,集电极同时连接NPN管N14的集电极和NPN管N16的基极;NPN管N14的基极连接自身集电极,发射极连接NPN管N15的集电极;NPN管N15的基极连接自身集电极,发射极连接PNP管P6的发射极;PNP管P6的基极连接NPN管N9的集电极,集电极接地; 电阻R6的第二端连接同时连接NPN管N13的发射极、NPN管N16的集电极和NPN管N17的集电极;NPN管N13的基极接电源VCC;NPN管N16的基极连接PNP管P5的集电极,发射极连接NPN管N17的基极,NPN管N17的发射极同时连接NPN管N5的集电极和电阻R16的第一端,电阻R16的第二端通过电阻R17接地; NPN管N5的基极连接自身集电极,发射极同时连接电阻R9的第一端、电阻R10的第一端、NPN管N8的基极、NPN管N9的基极;电阻R9的第二端同时连接NPN管N6的集电极、电容C1的第二端和NPN管N11的基极,电容C1的第一端连接PNP管P6的基极;电阻R10的第二端同时连接NPN管N10的基极和NPN管N7的集电极;NPN管N6的基极通过电阻R12同时连接NPN管N7的基极和NPN管N12的基极,NPN管N6的发射极连接电阻R11的第一端,电阻R11的第二端同时连接NPN管N18的发射极、电阻R13的第一端和NPN管N7的发射极,电阻R13的第二端同时连接电阻R14的第一端和PNP管P7的发射极,电阻R14的第二端接地;PNP管P7的基极和集电极均接地; 所述电阻R17选择超低温度漂移的金属薄膜电阻,保证输出基准电压的温度稳定性;所述电阻R17为凸字型的外形结构,后期通过激光修调,根据流片工艺的偏差进行高精度的电阻修正,保证输出基准电压的高精度。
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