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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211489475.2，技术领域涉及：H10N79/00；该发明授权一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法是由孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法。该异质集成的人工视网膜忆阻器件由两片包含人工视网膜忆阻器的硅片背部相互贴合，实现硅‑硅键合，互连与集成为异质集成的人工视网膜忆阻器件，上层人工视网膜忆阻器作为光电传感单元，下层人工视网膜忆阻器作为存储单元与处理单元，并且上层器件和下层器件均为环形结构，可独立完成光信号采集、处理与存储任务。相比于传统的光学信号感知、处理与存储单元，本发明的器件无需考虑传感单元、存储单元与计算单元间复杂的信号转换与集成困难，极大程度提高了后摩尔时代芯片的工作效率与集成密度。

本发明授权一种异质集成的人工视网膜忆阻器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质集成的人工视网膜忆阻器件，其特征在于， 由两片包含人工视网膜忆阻器的衬底硅背部相互贴合，实现硅-硅键合，互连与集成为异质集成的人工视网膜忆阻器件， 上层人工视网膜忆阻器作为光电传感单元，下层人工视网膜忆阻器作为存储单元与处理单元，并且上层器件和下层器件均可独立完成光信号采集、处理与存储任务， 其中，上层人工视网膜忆阻器下层人工视网膜忆阻器包括： 衬底硅，形成有第一凹槽； 第一隔离层，形成在所述第一凹槽的表面； 纳米柱，彼此间隔分布在所述第一凹槽中，且其高度与第一凹槽的深度相同； 包覆电极，覆盖所述第一隔离层表面和纳米柱表面； 电阻转变功能层，覆盖所述包覆电极表面且延伸覆盖第一凹槽两侧的衬底硅上表面； 光电感应层，形成在所述电阻转变功能层表面，与电阻转变功能层形成异质集成，用于实现光电信号的采集和处理； 中心电极，形成在所述光电感应层上，并完全填充第一凹槽，从而与包覆电极共同构成环形电极； 第二凹槽，位于第一凹槽边缘的第一隔离层处，贯穿中心电极、光电感应层和电阻转变功能层； 第二隔离层，填充于第二凹槽中； 通孔，贯穿中心电极、光电感应层、电阻转变功能层、包覆电极、纳米柱、第一隔离层和衬底硅； 互连线，填充于所述通孔中，底部与衬底硅底部持平，顶部位置超过中心电极的上表面，用于实现多层器件的互连； 第三凹槽，宽度与纳米柱相同，贯穿中心电极、光电感应层、电阻转变功能层、包覆电极、纳米柱、第一隔离层和衬底硅； 第三隔离层的下部，填充于所述第三凹槽，底部与衬底硅底部持平，顶部高于包覆电极的最低点，而低于包覆电极的最高点； 外引互连点，形成在所述第三隔离层的下部的上方，与所述包覆电极相连接，从而引出包覆电极； 第三隔离层的上部，填充于所述第三凹槽，底部与外引互连点相接，顶部高超过中心电极的上表面，而低于互连线的顶部； 接触电极，形成在填充于第一凹槽中的中心电极的上方，与环形电极共同作用于异质集成的光电感应层和电阻转变功能层，在人工视网膜器件形成环形回路。

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