鲁东大学朱亚丹获国家专利权
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龙图腾网获悉鲁东大学申请的专利一种Micro-LED的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211505066.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种Micro-LED的制备方法是由朱亚丹;卢太平;张立春;王美山;梁豆豆;贺文伟设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Micro-LED的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于针对现有技术中存在的上述缺陷，提供一种Micro‑LED的制备方法，属于光电子器件领域，在刻蚀外延片形成阵列结构后，采用低温溶胶‑凝胶法在刻蚀后的沟槽及侧壁形成第一钝化层。常规采用ALD、CVD工艺进行表面钝化过程中，由于刻蚀后的外延片直接暴露于高温、等离子体环境中，极易形成缺陷，本发明提供的方案采用低温溶胶‑凝胶法形成第一钝化层，能够避免由于刻蚀后的外延片直接暴露于高温、等离子体环境中而形成的缺陷，且制备方法简单，生产成本较低。
本发明授权一种Micro-LED的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： S1：制备LED外延片，所述外延片从下至上依次包括衬底、第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层； S2：刻蚀LED外延片形成沟槽，刻蚀深度至第一导电类型半导体层，沟槽将外延片分成微型发光阵列； S3：在微型发光阵列的表面包括沟槽底部及侧壁形成钝化层，所述钝化层包括第一钝化层，第一钝化层采用低温溶胶-凝胶法形成； 所述钝化层还包括第二钝化层，第二钝化层沉积在第一钝化层的上表面； 所述第二钝化层采用ALD、CVD、或者溅射工艺形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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