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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利一种高压MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211525792.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种高压MOSFET器件及其制作方法是由潘伯津;朱克宝;李仁雄;彭路露;宁宁设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压MOSFET器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成第一堆叠结构、第二堆叠结构于半导体层上，第一堆叠结构位于高压区并包括层叠的高压区栅氧化层与第一硬掩膜层，第二堆叠结构位于核心区并包括层叠的核心区栅氧化层、多晶硅伪栅极层及第二、第三硬掩膜层；形成侧壁保护层；形成研磨停止层及第一层间介质层并减薄直至显露高压区栅氧化层、多晶硅伪栅极层的顶面；替换多晶硅伪栅极以得到核心区金属栅并对其进行CMP；形成补偿氧化层及高压区金属栅。本发明在将多晶硅伪栅极替代为金属栅极后，高压区与核心区的膜层高度相差不大，不会影响核心区金属栅CMP的负载，且后续通过重新铺设补偿氧化层可以补齐高压区需求的EOT。

本发明授权一种高压MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高压MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层，形成第一堆叠结构及第二堆叠结构于所述半导体层上，所述半导体层包括在水平方向上间隔设置的高压区与核心区，所述第一堆叠结构位于所述高压区并包括自下而上依次层叠的高压区栅氧化层与第一硬掩膜层，所述第二堆叠结构位于所述核心区并包括自下而上依次层叠的核心区栅氧化层、多晶硅伪栅极层、第二硬掩膜层及第三硬掩膜层； 形成侧壁保护层于所述第一堆叠结构的侧壁及所述第二堆叠结构的侧壁； 依次形成研磨停止层及第一层间介质层于所述半导体层上，所述研磨停止层覆盖所述第一堆叠结构、所述第二堆叠结构及所述侧壁保护层的裸露表面，所述第一层间介质层覆盖所述研磨停止层，然后减薄所述第一层间介质层直至显露所述高压区栅氧化层的顶面及所述多晶硅伪栅极层的顶面； 去除所述多晶硅伪栅极以得到位于所述核心区并夹设于所述侧壁保护层之间的凹槽； 形成核心区金属栅于所述凹槽中，并对所述核心区金属栅进行化学机械研磨； 形成补偿氧化层于所述高压区栅氧化层上，并形成高压区金属栅于所述补偿氧化层上。

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