中科纳米张家港化合物半导体研究所熊敏获国家专利权
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龙图腾网获悉中科纳米张家港化合物半导体研究所申请的专利垂直腔面发射激光器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211542060.7，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制作方法是由熊敏;董旭;朱杰设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括第一周期性层叠镜面结构；p型接触层，形成于所述第一周期性层叠镜面结构上；发光层，形成于所述p型接触层上；第二周期性层叠镜面结构，形成于所述发光层上；以及n型接触层，形成于所述第二周期性层叠镜面结构上；其中，所述n型接触层以及所述第二周期性层叠镜面结构内形成有第一扩散区，所述第一扩散区可限制载流子在所述n型接触层以及所述第二周期性层叠镜面结构内的传输。本发明的垂直腔面发射激光器，其能够针对n型掺杂区域的p型扩散掺杂，利用掺杂补偿形成高阻区域来进行电流限制，实现激光出射。
本发明授权垂直腔面发射激光器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 第一周期性层叠镜面结构； p型接触层，形成于所述第一周期性层叠镜面结构上； 发光层，形成于所述p型接触层上； 第二周期性层叠镜面结构，形成于所述发光层上；以及 n型接触层，形成于所述第二周期性层叠镜面结构上； 其中，所述n型接触层以及所述第二周期性层叠镜面结构内形成有p型扩散掺杂补偿的第一扩散区，所述第一扩散区可限制载流子在所述n型接触层以及所述第二周期性层叠镜面结构内的传输，通过利用掺杂补偿形成高阻区域来进行电流限制。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科纳米张家港化合物半导体研究所，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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