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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211566349.2，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法是由吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种围栅隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬底上包括：第一外延区、第二外延区、第一沟道区、第二沟道区以及第三沟道区；第一外延层形成于第一外延区；第二外延层形成于第二外延区；若干第一沟道层沿远离衬底的方向上堆叠，且相邻两第一沟道层之间通过沟道空腔间隔；其中，第一沟道层包括第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部；内侧墙；填充于第一沟道区和第三沟道区的沟道空腔中；第二沟道层、栅介质层以及控制栅；均形成于第二沟道区中；其中，第一沟道部中掺杂有第一离子，第二沟道层中掺杂有第二离子；第一离子和第二离子的类型不同；以解决如何增大围栅隧穿场效应晶体管的开态电流的问题。

本发明授权一种围栅隧穿场效应晶体管以及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种围栅隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底上包括：第一外延区、第二外延区、第一沟道区、第二沟道区以及第三沟道区；其中，所述第一沟道区、所述第二沟道区以及所述第三沟道区沿第一方向依次排列；所述第一方向表征了所述第一外延区指向所述第二外延区的方向； 第一外延层，形成于所述第一外延区； 第二外延层，形成于所述第二外延区； 若干第一沟道层；所述若干第一沟道层覆盖所述第一沟道区、所述第二沟道区以及所述第三沟道区，每层第一沟道层的两端均分别接触所述第一外延层和所述第二外延层，并且所述若干第一沟道层沿远离所述衬底的方向上堆叠，且相邻两第一沟道层之间通过沟道空腔间隔；其中，所述每层第一沟道层均包括第一沟道部、第二沟道部以及第三沟道部；所述第一沟道部覆盖所述第一沟道区和部分所述第二沟道区，所述第二沟道部形成于所述第二沟道区的其它部分，所述第三沟道部形成于所述第三沟道区； 内侧墙；填充于所述第一沟道区和所述第三沟道区的沟道空腔中； 第二沟道层、栅介质层以及控制栅；均形成于所述第二沟道区中；其中，所述第二沟道层包裹部分所述第一沟道部和所述第二沟道部；所述栅介质层包围所述第二沟道层；所述控制栅包围所述栅介质层； 其中，所述第一沟道部中掺杂有第一离子，所述第二沟道层中掺杂有第二离子；所述第一离子和所述第二离子的类型不同；所述第一外延层为源区或漏区，所述第二外延层对应地为漏区或源区。

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