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龙图腾网获悉麦斯克电子材料股份有限公司申请的专利一种8吋半导体特殊偏晶向规格硅片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115781955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211582839.1，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种8吋半导体特殊偏晶向规格硅片的加工方法是由张亮;胡晓亮;邢胜昌;崔小换;张倩;黄鑫;刘元涛;邵奇;李战国设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种8吋半导体特殊偏晶向规格硅片的加工方法在说明书摘要公布了：一种8吋半导体特殊偏晶向规格硅片的加工方法，包括以下步骤：S1，选择晶向为100的晶棒，对该晶棒进行滚磨，在晶棒的外侧面上滚磨出第一参考面，第一参考面的晶向为[110]，然后，在晶棒的外侧面上滚磨出第二参考面，从晶棒尾部向头部方向看，第二参考面位于第一参考面的逆时针方向，且第一参考面和第二参考面与晶棒中心连线形成的夹角为45°；S2，以第二参考面为基准测量晶棒粘接时需要偏转的水平偏转角度α需和第二参考面旋转角度β需，根据α需和β需将晶棒粘接到晶托上；S3，通过线切割将晶棒切割形成硅片，硅片经过脱胶、摆片、清洗工序后进行倒角，倒角过程中能够去除硅片上的第二参考面且保留第一参考面。本发明，减少了偏晶向硅片的生产成本，且解决了传统粘棒设备无法直接加工此类规格晶棒的难题。

本发明授权一种8吋半导体特殊偏晶向规格硅片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种8吋半导体特殊偏晶向规格硅片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，选择晶向为100的晶棒3，对该晶棒3进行滚磨，在晶棒3的外侧面上滚磨出第一参考面1，第一参考面1的晶向为[110]，然后，在晶棒3的外侧面上滚磨出第二参考面2，从晶棒3尾部向头部方向看，第二参考面2位于第一参考面1的逆时针方向，且第一参考面1和第二参考面2与晶棒3中心连线形成的夹角为45°； S2，以第二参考面2为基准测量晶棒3粘接时需要偏转的水平偏转角度α需和第二参考面旋转角度β需，根据α需和β需将晶棒3粘接到晶托4上； S21，以第二参考面2为基准测量α需和β需； S22，晶棒3按照α需偏转，从晶棒的尾部向头部方向看，第二参考面2绕晶棒3轴线按照β需偏转，并将偏转后的晶棒3粘接到晶托4上； S23，测量粘接到晶托4上的晶棒3的实际偏转角度α实和第二参考面的实际旋转角度β实，若α实≠α需、β实≠β需，则调整晶棒3直至α实＝α需、β实＝β需； S3，通过线切割将晶棒3切割形成硅片，硅片经过脱胶、摆片、清洗工序后进行倒角，倒角过程中能够去除硅片上的第二参考面2且保留第一参考面1； S31，晶棒3经过线切割形成硅片，切割方式是金刚线切割或者砂浆线切割； S32切割得到的硅片进行脱胶，然后将硅片摆入片盒内且晶棒3的尾部端面朝向片盒的U面； S33，清洗片盒内的硅片并将其烘干，对硅片朝向片盒U面的端面划线； S34，以第二参考面2为基准测量硅片的晶向，判定硅片的晶向是否为所需晶向； S35，将符合所需晶向的硅片进行倒角且倒角过程中能够去除第二参考面2和保留第一参考面1。

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