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龙图腾网获悉重庆兆光科技股份有限公司申请的专利一种芯片键合互联方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110811B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211599487.0，技术领域涉及：H01L21/603；该发明授权一种芯片键合互联方法是由朱智源;杨邱平;彭德光设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片键合互联方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片键合互联方法，包括：提供第一待键合结构和第二待键合结构，所述第一待键合结构和所述第二待键合结构均包含呈梯状排布的金层和锡层；将所述第一待键合结构和所述第二待键合结构进行堆叠，使得所述第一待键合结构的锡层与所述第二待键合结构的锡层相对设置；在堆叠后的所述第一待键合结构和所述第二待键合结构背离所述锡层的两侧施加压力，并在其中一侧加热以使所述锡层与所述金层形成金锡化合物，完成键合。本申请金层和锡层的梯形结构可保证定向迁移的效果，可有效保证键合质量。

本发明授权一种芯片键合互联方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片键合互联方法，其特征在于，包括： 提供第一待键合结构和第二待键合结构，所述第一待键合结构和所述第二待键合结构均包含呈梯状排布的金层和锡层；所述第一待键合结构的制作步骤包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上设置粘附层，通过所述粘附层将初始金层粘合在所述第一衬底的一侧；通过电镀对所述初始金层进行增厚，得到所述金层，在所述金层背离所述第一衬底的一侧通过蒸发沉积形成锡层，所述锡层的外沿相对于所述金层的外沿向内收缩以形成所述梯状排布；在所述金层背离所述第一衬底的一侧设置锡层之后，还包括：在所述第一衬底上设置隔热层，所述隔热层覆盖所述金层和所述锡层，且隔热层为梯形结构；所述第二待键合结构的结构排布与所述第一待键合结构的结构排布相同，所述第二待键合结构的隔热层与所述第一待键合结构的所述隔热层采用的隔热材料不同； 将所述第一待键合结构和所述第二待键合结构进行堆叠，使得所述第一待键合结构的锡层与所述第二待键合结构的锡层相对设置； 在堆叠后的所述第一待键合结构和所述第二待键合结构背离所述锡层的两侧施加压力，并在其中一侧加热以使所述锡层与所述金层形成金锡化合物，完成键合。

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