深圳天狼芯半导体有限公司吴龙江获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种鳍状结型场效应晶体管及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211640507.4，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种鳍状结型场效应晶体管及其制备方法、芯片是由吴龙江设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种鳍状结型场效应晶体管及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了鳍状结型场效应晶体管及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底形成N型漂移层，在N型漂移层上形成连接区，在连接区两侧形成鳍状结构的P型掺杂层，并在P型掺杂层表面依次形成介电层、功函数金属层以及栅极金属层，在两侧的P型掺杂层的外侧形成第一源极掺杂层和第二源极掺杂层，从而使得由半导体衬底背面的漏极流出的电流经由N型漂移层以及鳍状区域的连接区，通过鳍状结构的第一P型掺杂层和第二P型掺杂层结构感应出的电流通道达到源极，由鳍状结构上的栅极金属层感应出电流通道即可开启器件，实现兼顾高击穿电压、高电流密度以及较小的器件面积的目的。
本发明授权一种鳍状结型场效应晶体管及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种鳍状结型场效应晶体管，其特征在于，所述鳍状结型场效应晶体管包括： 半导体衬底； N型漂移层，设于所述半导体衬底的正面； 第一P型掺杂层和第二P型掺杂层，设于所述N型漂移层上，且所述第一P型掺杂层与所述第二P型掺杂层呈鳍状结构； 第一介电层和第二介电层，分别设于所述第一P型掺杂层与所述第二P型掺杂层的表面； 第一功函数金属层和第二功函数金属层，分别设于所述第一介电层与所述第二介电层表面； 第一栅极金属层和第二栅极金属层，分别与所述第一功函数金属层和第二功函数金属层连接； 连接区，设于所述第一P型掺杂层与所述第二P型掺杂层之间； 第一源极掺杂层和第二源极掺杂层，分别设于所述第一P型掺杂层的外侧和所述第二P型掺杂层的外侧； 漏极金属层，设于所述半导体衬底的背面。
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