深圳天狼芯半导体有限公司吴龙江获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211641551.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法、芯片是由吴龙江设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底的正面依次外延生长N型漂移层以及P型开关隔离层，然后对P型开关隔离层的指定区域进行N型掺杂形成电压信道层，以将P型开关隔离层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区，在电压信道层上形成N型连接区，并在N型连接区两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层以及多个交替设置的P型掺杂结构和N型沟道结构，在P型掺杂结构上形成栅极金属层，通过栅极金属层以及鳍状结构的P型掺杂结构感应得到多条电流通道达到源极，由P型掺杂结构上的栅极金属层感应出电流通道即可开启器件，从而可以同时兼顾低成本与器件效能。
本发明授权一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种垂直型鳍状功率器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在半导体衬底的正面依次外延生长N型漂移层以及P型开关隔离层； 对所述P型开关隔离层的指定区域进行N型掺杂形成电压信道层，以将所述P型开关隔离层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区； 在所述电压信道层上形成N型连接区，并在所述N型连接区两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层以及多个交替设置的P型掺杂结构和N型沟道结构；其中，所述第一源极掺杂层位于所述第一开关隔离区上，且通过所述N型沟道结构与所述N型连接区连接，所述第二源极掺杂层位于所述第二开关隔离区上，且通过所述N型沟道结构与所述N型连接区连接； 在所述P型掺杂结构上形成栅极金属层；其中，所述栅极金属层与所述N型沟道结构之间绝缘； 在所述半导体衬底的背面形成漏极金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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