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龙图腾网获悉武汉羿变电气有限公司申请的专利一种功率半导体模块的封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985899B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211643047.0，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权一种功率半导体模块的封装结构及封装方法是由黄志召;李宇雄;段三丁;刘新民设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体模块的封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体模块的封装结构及封装方法。所述封装结构包括：覆铜陶瓷基板；贴装在覆铜陶瓷基板上的功率半导体芯片、热敏电阻、端子；功率半导体芯片通过互联结构构成了半桥电路；用于功率半导体芯片与覆铜陶瓷基板上金属层连接的键合线。本发明提供的封装结构通过合理的覆铜陶瓷基板金属层布局，对换流回路进行优化，实现了并联芯片换流回路的均衡，且实现了较小的寄生电感值，降低关断过电压和开关震荡；驱动回路采用Kelvin结构，减小了共源寄生电感对驱动回路的负反馈影响，提高了开关速度。所述的封装方法，为该封装结构提供了可靠的加工方法，使得该封装结构得以实现，且成本低、加工质量可靠。

本发明授权一种功率半导体模块的封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块的封装结构，包括覆铜陶瓷基板，该覆铜陶瓷基板正面具有正极铜箔、交流铜箔、负极铜箔、上桥臂驱动栅极铜箔、上桥臂驱动源极铜箔、下桥臂驱动栅极铜箔、下桥臂驱动源极铜箔、通过正极铜箔相互并联的第一功率芯片和第二功率芯片、以及通过交流铜箔相互并联的第三功率芯片和第四功率芯片，其特征在于： 正极铜箔的主体、交流铜箔、负极铜箔、上桥臂驱动栅极铜箔、上桥臂驱动源极铜箔、下桥臂驱动栅极铜箔、下桥臂驱动源极铜箔均为以纵向对称中心线为对称中心的镜像对称式形状； 所述第一功率芯片和第二功率芯片设置在正极铜箔处，所述第三功率芯片和第四功率芯片设置在交流铜箔处，且第一功率芯片和第二功率芯片以纵向对称中心线为对称中心镜像对称布置，所述第三功率芯片和第四功率芯片以纵向对称中心线为对称中心镜像对称布置； 所述上桥臂驱动栅极铜箔焊接有上桥臂驱动栅极端子，所述上桥臂驱动源极铜箔焊接有上桥臂驱动源极端子，所述下桥臂驱动栅极铜箔焊接有下桥臂驱动栅极端子，所述下桥臂驱动源极铜箔焊接有下桥臂驱动源极端子，且所述上桥臂驱动栅极端子、上桥臂驱动源极端子、下桥臂驱动栅极端子和下桥臂驱动源极端子均焊接在纵向对称中心线上； 所述第一功率芯片、第二功率芯片、第三功率芯片和第四功率芯片的驱动信号连接均采用了Kelvin结构； 所述正极铜箔具有对应上桥臂驱动栅极铜箔和上桥臂驱动源极铜箔的缺口，所述上桥臂驱动源极铜箔为“山”字形结构，所述上桥臂驱动栅极铜箔为“品”字形结构； 所述交流铜箔具有对应下桥臂驱动栅极铜箔和下桥臂驱动源极铜箔的缺口，所述下桥臂驱动源极铜箔为“山”字形结构，所述下桥臂驱动栅极铜箔为“品”字形结构。

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